PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
K I
半导体
█
应用
在H945是专为AF放大器的驱动级
和低速切换。
C945
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………250mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………150mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
NF
60
50
5
90
600
0.3
1.0
100
100
250
3.0
4.0
V
V
V
V
V
nA
nA
兆赫
pF
dB
I
C
=100μA,
I
C
=100μA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=100μA，I
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=1mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=10mA
V
CB
= 6V ，我
E
=0，f=1MHz
V
CE
=6V,I
C
=0.5mA，f=1KHz，
Rs=500Ω
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
█
h
FE
分类
R
90—180
Q
135—270
P
200—400
K
300—600
KISEMICONDUCTOR [ Kwang Myoung I.S. CO.,LTD ]
