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  • KM68V257EJI-12图
  • 深圳市励创源科技有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • KM68V257EJI-12
  • 数量35600 
  • 厂家SAMSUNG 
  • 封装SOJ28 
  • 批号21+ 
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  • QQ:815442201QQ:483601579
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KM68V257EJI-12产品参数
型号:KM68V257EJI-12
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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