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    DP100S 参数 Datasheet PDF下载

    DP100S图片预览
    型号： DP100S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 极低的集电极 - 发射极饱和电压 [Extremely low collector-to-emitter saturation voltage]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 251 K
    品牌： KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
     浏览型号DP100S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DP100S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DP100S的Datasheet PDF文件第4页  
    DP100S
    PNP硅晶体管
    特点
    •
    极低的集电极 - 发射极
    饱和电压
    ( V
    CE （ SAT ）
    = -0.25V典型。 @I
    C
    /I
    B
    =-400mA/-20mA)
    •
    适用于低电压大电流驱动器
    •
    互补配对DN100S
    •
    开关应用
    引脚连接
    3
    1
    2
    SOT-23F
    订购信息
    型号
    DP100S
    记号
    P03
    □
    ①
    ②
    •设备
    CODE
    ②
    Year&Week码
    封装代码
    SOT-23F
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    (Ta=25°C)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    -15
    -12
    -5
    -1
    200
    150
    -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    特征
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    (Ta=25°C)
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1
    h
    FE2
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    测试条件
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -12V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-100mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-1A
    I
    C
    = -400mA ，我
    B
    =-20mA
    I
    C
    = -400mA ，我
    B
    =-20mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-50mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    分钟。典型值。马克斯。
    -15
    -12
    -5
    -
    -
    200
    70
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    330
    9
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    450
    -
    -0.3
    -1.2
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    -
    V
    V
    兆赫
    pF
    KSD-T5C088-000
    1

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