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SBT2222 参数 Datasheet PDF下载

SBT2222图片预览
型号: SBT2222
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 240 K
品牌: KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
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SBT2222
NPN硅晶体管
说明
通用的应用程序
开关应用
引脚连接
特点
低漏电流
低集电极饱和电压使
低电压操作
互补配对SBT2907
3
1
2
SOT-23
订购信息
型号
SBT2222
记号
1B
① ②
•设备
CODE
Year&Week码
封装代码
SOT-23
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
存储温度范围
* :包安装在99.5 %氧化铝10 ×8× 0.6毫米
Ta=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
评级
60
30
5
600
350
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
Ta=25°C
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
V
CE
= 20V ,我
C
=20mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CC
=30V
dc
, V
BE (OFF)的
=0.5V
dc
,
I
C
=150mA
dc
, I
B1
=15mA
dc
V
CC
=30V
dc
,I
C
=150mA
dc
,
I
B1
=I
B2
=15mA
dc
分钟。典型值。马克斯。
60
30
5
-
100
-
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
0.4
-
8
10
25
225
60
单位
V
V
V
nA
-
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
KSD-T5C009-000
1