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    SBT5551F 参数 Datasheet PDF下载

    SBT5551F图片预览
    型号： SBT5551F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 260 K
    品牌： KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
     浏览型号SBT5551F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBT5551F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SBT5551F的Datasheet PDF文件第4页  
    SBT5551F
    NPN硅晶体管
    说明
    •
    通用扩增fi er
    •
    高电压应用
    引脚连接
    3
    1
    2
    特点
    •
    高集电极击穿电压：
    V
    CBO
    = 180V, V
    首席执行官
    = 160V
    •
    低集电极饱和电压：
    V
    CE （ SAT ）
    =0.5V(MAX.)
    •
    互补配对SBT5401F
    SOT-23F
    订购信息
    型号
    SBT5551F
    记号
    FNF
    □
    ① ②
    ①
    器件代码
    ②
    Year&Week码
    封装代码
    SOT-23F
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    (Ta=25°C)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    180
    160
    6
    600
    200
    150
    -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    特征
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    (Ta=25°C)
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    h
    FE （3）
    V
    CE(sat)(1)
    *
    V
    CE(sat)(2)
    *
    *
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 120V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =50mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =10mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    分钟。典型值。马克斯。
    180
    160
    6
    -
    -
    80
    80
    30
    -
    -
    -
    -
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.2
    0.5
    1
    1
    400
    6
    250
    -
    -
    -
    100
    100
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    -
    -
    -
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    V
    BE(sat)(1)
    f
    T
    C
    ob
    V
    BE(sat)(2)
    *
    *
    ：脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300μs,
    占空比
    ≤2.0%
    KSD-T5C076-000
    1

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