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    STA723D 参数 Datasheet PDF下载

    STA723D图片预览
    型号： STA723D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管 [PNP Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 242 K
    品牌： KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
     浏览型号STA723D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STA723D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STA723D的Datasheet PDF文件第4页  
    STA723D
    PNP硅晶体管
    描述
    •
    通用扩增fi er
    •
    D- PAK表面贴装应用
    引脚连接
    特点
    •
    P
    C
    （集电极耗散） = 15W
    •
    低速切换应用程序
    •
    互补配对STC722D
    订购信息
    型号
    STA723D
    记号
    STA723
    □ YWW
    □
    :
    h
    FE
    秩
    ， YWW （Y
    ：年份代码， WW ：每周代码）
    TO-252
    封装代码
    TO-252
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率（ TC = 25 ℃ ）
    结温
    储存温度
    *：单脉冲， TP = 300
    ㎲
    (Ta=25°C)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    *
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    -40
    -30
    -5
    -3
    -6
    15
    150
    -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A（ DC ）
    A（脉冲）
    W
    °C
    °C
    电气特性
    特征
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    (Ta=25°C)
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    测试条件
    I
    C
    = -50μA ，我
    B
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    B
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    =-4V, V
    BE
    =0
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    =-500mA
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    =-3A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-200mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-500mA,
    f=1MHz
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    分钟。
    -40
    -30
    -5
    -
    -
    80
    10
    -
    -
    -
    典型值。马克斯。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.5
    120
    13
    -
    -
    -
    -1
    -1
    390
    -
    -0.8
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    -
    -
    V
    兆赫
    pF
    * : h
    FE
    排名/ O ： 80 〜 218 ， Y： 120 〜 270 ， G： 180 〜 390
    KSD-T6O018-001
    1

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