STB1132
PNP硅晶体管
描述
•
中功率放大器
针
特点
•
P
C
（集电极耗散功率）
= 1W （陶瓷250的子状态
㎟×0.8t
使用）
•
低集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
=-0.2V(Typ.)
•
互补配对STD1664
订购信息
型号
STB1132
记号
A1
YWW
SOT-89
SOT-89
封装代码
HW1 ：设备代码， YWW （ Y：年份代码， WW ：每周代码）
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
* :
当安装在陶瓷基体（ 250
㎟×0.8t)
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
P
C
*
T
J
T
英镑
评级
-40
-32
-5
-1
0.5
1
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
*
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
测试条件
I
C
=-50
㎂
, I
E
=0
I
C
=-1
㎃
, I
B
=0
I
E
=-50
㎂
, I
C
=0
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
CE
= -30V ，我
C
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -3V ，我
C
=-0.1A
I
C
=-500
㎃,
I
B
=-50
㎃
V
CE
= -5V ，我
C
=-50
㎃
,
f=30
㎒
V
CB
= -10V ，我
E
=0, f=1
㎒
分钟。典型值。马克斯。
-40
-32
-5
-
-
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
150
20
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.1
320
-0.8
-
30
单位
V
V
V
㎂
㎂
㎂
-
V
㎒
㎊
1
* : h
FE
排名/ O ： 100 〜 200 ， Y： 160 〜 320
KSD-T5B021-001
KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
