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STC722D 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STC722D
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 241 K
品牌: KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
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STC722D
NPN硅晶体管
描述
通用扩增fi er
表面贴装应用
引脚连接
特点
P
C
(集电极耗散) = 15W
低速切换应用程序
互补配对STA723D
订购信息
型号
STC722D
记号
STC722
TO-252
封装代码
TO-252
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率( TC = 25 ℃ )
结温
储存温度
*:单脉冲, TP = 300
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
评级
40
30
5
3
6
15
150
-55~150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
C
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 3V ,我
C
=500mA
V
CE
= 3V ,我
C
=3A
V
CE
= 2A ,我
C
= 200毫安
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA,
f=1MHz
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。
40
30
5
-
-
80
10
-
-
-
典型值。马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
0.5
120
13
-
-
-
1
1
390
-
0.8
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
pF
* : h
FE
排名/ O : 80 〜 218 , Y: 120 〜 270 , G: 180 〜 390
KSD-T6O019-001
1