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STD123S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STD123S
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 247 K
品牌: KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
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STD123S
NPN硅晶体管
特点
低饱和度中等电流应用
极低的集电极饱和电压
适用于低电压大电流驱动器
高直流电流增益和大电流能力
低导通电阻,R
ON
= 0.6Ω (最大) (我
B
=1mA)
引脚连接
订购信息
型号
STD123S
记号
123
封装代码
SOT-23
C
B
E
•设备
CODE
Year&Week码
SOT-23
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
* :包安装在99.5 %氧化铝10 ×8× 0.1毫米
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
评级
20
15
6.5
1
350
150
-55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
晶体管频率
集电极输出电容
抗性
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
R
ON
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
F = 1KHz的,我
B
= 1mA时, V
IN
=0.3V
分钟。典型值。马克斯。
20
15
6.5
-
-
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
260
5
0.6
-
-
-
0.1
0.1
-
0.3
-
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
-
V
兆赫
pF
Ω
KSD-T5C034-001
1