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    STD6528EF 参数 Datasheet PDF下载

    STD6528EF图片预览
    型号： STD6528EF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 320 K
    品牌： KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
     浏览型号STD6528EF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD6528EF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD6528EF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD6528EF的Datasheet PDF文件第5页  
    STD6528EF
    NPN硅晶体管
    应用
    •
    微型计算机的直接驱动和开关应用
    引脚连接
    特点
    •
    极低的饱和电压： V
    CE （ SAT ）
    = 0.2V （最大）
    @ I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    •
    高直流电流增益：H
    FE
    =1000~2500
    •
    小型SMD封装
    1
    2
    3
    订购信息
    型号
    STD6528EF
    记号
    ZB
    □
    ① ②
    •设备
    CODE
    ②
    Year&Week码
    SOT-523F
    封装代码
    SOT-523F
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    存储温度范围
    Ta=25°C
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    25
    20
    5
    150
    150
    150
    -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    特征
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    Ta=25°C
    符号
    BV
    首席执行官
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    测试条件
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    V
    CB
    = 25V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =4mA
    I
    C
    =100
    ㎂,
    I
    B
    =10
    ㎂
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =4mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =1mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    分钟。典型值。马克斯。
    20
    -
    -
    1000
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.03
    -
    0.6
    150
    1.5
    -
    0.1
    0.1
    2500
    -
    0.2
    -
    -
    -
    单位
    V
    μA
    μA
    -
    V
    V
    兆赫
    pF
    KSD-T5E003-001
    1

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