CMOS / 3.3V / 7.0 × 5.0A
时钟晶体振荡器
表面贴装型
K50H-3C
系列
特点
•微型陶瓷封装
•高度可靠，缝焊
• CMOS输出
•电源电压V
DD
=3.3V
•内部旁路电容
•低抖动
•
±25ppm
可用的
如何订购
K50H - 3C 0 - 性S E 125.000
q
W¯¯ ER
t
qType(7×5
SMD ， 3.3V ）
wFrequency
稳定代码（请参阅表1 ）
eDuty
比（S ： 45 ％至55％ STD）的
rEnable /禁用
功能（ STD ）
tOscillation
频率（例如： 125.000MHz ）
包装（带&卷轴1,000pcs /卷）
表1
稳定性
T
OPR
(°C)
代码（ PPM ）
0
±
50
S
±
30
−10
to
+70
（标准）
U
±
25
F
±100 −40
to
+85
（延伸）
G
±
50
记
标准规格
只有某些
频率
只有某些
频率
无铅
符合RoHS指令
特定网络阳离子
项
输出频率范围
频率稳定度
存储温度范围
工作温度范围
马克斯。电源电压
电源电压
消耗电流
（最大负载）
占空比（对称）
占空比（对称）
上升/下降时间
(10% V
DD
到90 ％的V
DD
最大负荷）
输出电压"L"
输出电压"H"
输出负载
输入电压范围
输入电压"L"
输入电压"H"
输出禁止时间
输出使能时间
启动时间
确定性抖动的峰峰值
1Sigma抖动
符号
F
OUT
F
SBY
T
英镑
T
OPR
-----
V
DD
稳定性：
为±50ppm ，± 100ppm的
（外部温度）
稳定性：
± 25ppm的， ± 30ppm的，± 50PPM
（外部温度）
条件
总体情况：
初始容差，工作温度范围，额定
电源电压变化，负载的变化，老龄化（ 1年
@ 25°C ） ，冲击和振动
标准
扩展（选件）
I
DD
I
ST
符号
TR / TF
50≤F
OUT
≤
85MHz
85<F
OUT
≤100MHz
100<F
OUT
≤135MHz
135<F
OUT
≤160MHz
待机功能
@50% V
DD
50≤F
OUT
<100MHz
100≤F
OUT
≤160MHz
20% V
DD
到80 ％的V
DD
10% V
DD
到90 ％的V
DD
20% V
DD
到80 ％的V
DD
10% V
DD
到90 ％的V
DD
V
OL
V
OH
CL
V
IN
V
IL
V
IH
-----
-----
ST
DJ
1sigma
CMOS
@Minimum工作电压为0秒。
测量"Wavecrest DTS- 2079" ，
VISI 6.3.1
分钟。
50
−25
−30
−50
−55
−10
−40
−0.5
2.97
3.14
-----
-----
-----
-----
-----
45
-----
-----
-----
-----
-----
90% V
DD
-----
0
-----
70% V
DD
-----
-----
-----
-----
-----
马克斯。
170
+25
+30
+50
+125
+70
+85
7.0
3.63
3.46
30
40
50
60
10
55
3.5
5.0
1.5
2.0
10% V
DD
-----
15
V
DD
30% V
DD
-----
5
150
10
2
4
单位
兆赫
PPM
°C
伏特
mA
µA
%
nS
伏特
pF
伏特
伏特
mS
nS
mS
皮秒
注：请联系我们获取有关扩展的操作温度范围，可用频率等条件查询。
所有的电气特性在最大负荷和工作温度范围限定。
尺寸
7.0
1.4
0.6
（单位：毫米）
推荐地格局
5.08
2.0
（单位：毫米）
e
5.0
1.1
r
2.6
w
q
1.8
0.7
5.08
1.6
引脚连接
q
控制
w
CASE GND
e
产量
r
V
DD
启用/禁用功能
Pin1
Pin3(Output)
开放
活跃
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;水平
活跃
"L"级别高阻抗（无振荡）
注： K50H系列具有0.01μF旁路电容
V之间
DD
和GND 。
4.2
电镀：镍+金
公差：
±0.2
KSS [ Kyocera Kinseki Corpotation ]
