时钟振荡器表面贴装型
KC5032C -C2系列（ K30-2C系列）
CMOS / 2.5V / 5.0 × 3.2毫米
特点
•微型陶瓷封装
•高度可靠，缝焊
• CMOS输出
•电源电压V
CC
=2.5V
可用较低的电压
±25×10
-
6
,
±20×10
-
6
可用的
•
如何订购
KC5032C 25.0000 C 2 0 E 00
①
②
③④⑤⑥ ⑦
①
式（ 5.0 × 3.2毫米SMD ）
②
输出频率
③
输出类型（ CMOS ）
④
电源电压（ 2.5V ）
⑤
频率容限（见表1 ）
⑥
对称/ INH功能
（五十五分之四十五％ ，待机）
⑦
客户特殊型号SUF网络X
（ STD特定网络阳离子为“00” ）
表1
操作
频率。托尔。
温度
记
-
6
CODE
×
10
范围（° C）
±
50
0
标准规格
±
30
S
-10
to
+70
±
25
U
只有某些
±
20
W
频率
±100
F
-40
to
+85
±
50
G
符合RoHS
包装（带&卷1000件/卷）
特定网络阳离子
项
输出频率范围
频率容差
存储温度范围
工作温度范围
马克斯。电源电压
电源电压
分钟。
1.8
-100
初始容差，工作运。温度：
-40
to
+85°C
-50
温度范围，额定作品。温度：
-10
to
+70°C/ -40
to
+85°C
-30
f
±允差
电源电压的变化，作品。温度：
-10
to
+70°C
-25
负载的变化，老龄化（1年作品温度：
-10
to
+70°C
@ 25°C ） ，冲击和振动
-20
运算。温度：
-10
to
+70°C
-55
T
_stg
-10
标准规格
T
“使用
-40
扩展（可选）
-0.5
—
+2.25
频率。 Tol.Code ： O，S ，女
+2.38
V
CC
频率。 Tol.Code ：U ，G
+2.43
频率。 Tol.Code ：W
1.8≤fo≤20MHz
—
20<fo≤40MHz
—
40<fo≤60MHz
—
I
CC
60<fo≤85MHz
—
85<fo≤100MHz
—
100<fo≤125MHz
—
—
I
_std
45
符号
@50% V
CC
1.8≤fo≤40MHz
—
TR / TF
40<fo≤85MHz
—
85<fo≤125MHz
—
—
I
OL
=4mA/
8毫安（ 40MHz<fo ）
V
OL
90% V
CC
I
OH
= -4mA / -8mA
(40MHz<fo)
V
OH
L_CMOS CMOS输出
—
0
V
IN
—
V
IL
70% V
CC
V
IH
—
t
_Dis
—
t
_ena
@Minimum工作电压为0秒。
—
t
³STR
1.8≤fo<40MHz
—
J
西格玛
40≤fo≤100MHz
—
100<fo≤125MHz
—
测量韦夫克雷斯特DTS- 2079
VISI 6.3.1
1.8≤fo<40MHz
—
J
PK- PK
40≤fo≤100MHz
—
100<fo≤125MHz
—
符号
fo
条件
马克斯。
125
+100
+50
+30
+25
+20
+125
+70
+85
+7
+2.75
+2.62
+2.57
5
10
15
20
22
27
10
55
7
4
3
10% V
CC
—
15
V
CC
30% V
CC
—
150
5
10
8
5
4
80
40
30
单位
兆赫
×10
-
6
°C
°C
V
V
消耗电流
（最大负载）
待机电流
对称
上升/下降时间
(10% V
CC
到90 ％的V
CC
最大负荷）
低电平输出电压
高电平输出电压
CMOS负载
输入电压范围
低电平输入电压
高电平输入电压
禁止时间
启用时间
启动时间
1西格玛抖动
峰峰值抖动
mA
μA
%
ns
V
V
pF
V
V
V
ns
ms
ms
ps
ps
ps
ps
ps
ps
注：所有的电气特性在最大负荷和工作温度范围限定。
请与我们联系询问工作温度范围，可用频率等条件。
尺寸
5.0
0.8
1.2
（单位：毫米）
电镀：镍+金
公差：
±0.2
1.2
推荐地格局
2.5
1.4
2.2
1.6
（单位：毫米）
3.2
2.9
#3
#2
#4
#1
0.7
2.5
1.0
PAD连接
＃ 1 INH
＃ 2 GND案例
＃ 3输出
#4 V
CC
INH功能
Pad1
PAD3 （输出）
开放
活跃
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;水平
活跃
"L"级别高阻抗（无振荡）
注： V之间的价值0.01μF的电容
CC
并建议GND 。
KSS [ Kyocera Kinseki Corpotation ]
