kHz的范围晶体器件
数字温度补偿晶体振荡器
表面贴装型DTCXO KT3225T系列
CMOS / 3.0V典型值/ 3.2 × 2.5毫米
特点
•微型SMD型（ 3.2 × 2.5 × 1.0毫米）
•内置32.768kHz的D- TCXO
•高频率稳定度：
±5.0x10
-
6
/
-40
to
+85°C
•低电源电流： 1.5μA （典型值） （V
DD
=3.0V)
•温度补偿的电压
范围： 2.0V至5.5V
如何订购
KT3225T 32768 E A W¯¯ 30吨XX
①
②
③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
O
①
系列
②
安输出频率
③
频率稳定度
④
温度偏低
A
没有温度。补偿
±3.8×10
-
6
D
±5.0×10
-
6
E
A
C
E
30
33
50
-40°C
-30°C
-20°C
3.0V
3.3V
5.0V
应用
•高精度时间基准
•内置的RTC微控制器
⑤
上限温度
W
T
R
+85°C
+70°C
+60°C
⑥
电源电压
符合RoHS
⑦
初始频率
公差
A
5±5×10
-
6
B
0±5×10
-
6
T
TCXO
⑧
选项代码
特定网络阳离子
项
标称频率
振荡输出电压
温度补偿电压
储存温度
工作温度
频率容差
频率稳定度VS温度。
频率稳定度与电源电压
频率老化
低电平输出电压
高电平输出电压
低电平输入电压
高电平输入电压
占空比
上升时间
下降时间
启动时间
电源当前1
电源电流2
输出负载条件
符号
f_
喃
V
DD
V
统
T_
英镑
T_
利用
―
FO-锝
DF / FO
f
_age
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
税
tr
tf
条件
包装（带&卷3000PCS /卷）
特定网络阳离子
分钟。
―
1.3
2.0
-40
-40
-3.0
-5.0
-1.0
-3.0
0.0
2.2
0.0
0.8×V
DD
40
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
32.768
3.0
3.0
+25
+25
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.6
1.5
―
马克斯。
―
5.5
5.5
+85
+85
+3.0
+5.0
+1.0
+3.0
0.8
3.0
0.2×V
DD
5.5
60
100
100
1.0
3.0
2.0
4.0
15.0
单位
千赫
V
V
°C
°C
×10
-
6
×10
-
6
×10
-
6
/ V
×10
-
6
V
V
V
V
%
纳秒
纳秒
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
μA
μA
pF
（单位：毫米）
Ta=25±2°C
E： TA = -40至
+85°C
V
DD
=2.0
至5.5V ， TA = 25 ℃±2℃
I
OL
=+1.0mA,
V
DD
=3V
I
OH
=-1.0mA,
V
DD
=3V
CL=15pF
20%V
DD
→80%V
DD
， CL = 15pF的，V
DD
=3V
80%V
DD
→20%V
DD
， CL = 15pF的，V
DD
=3V
Ta=25°C
t_
STR
TA = -40〜 85°C
I
CC
1
CLKOE = V
SS
I
CC
2
CLKOE = V
DD
L_CMOS CMOS输出
（单位：毫米）
尺寸
3.2±0.2
#8
#7
#6
#5
推荐地格局
0.55
0.6
0.6
0.55
2.5±0.2
K
#1
#2
#3
#4
1.0最大。
C0.15
#1
#2
#3
#4
针无
#1
#2
#3
#4
#5
#6
#7
#8
功能
CLKOE
N.C
N.C
V
SS
CLKOUT
N.C
N.C
V
DD
1.1
0.85
0.45
0.5
0.27
1.1
0.85
0.4
0.4
0.4
0.35
0.7
#8
0.4
#7
0.5
#6
0.5
#5
R0.15
注： V之间的价值0.01μF的电容
DD
并建议GND 。
KSS [ Kyocera Kinseki Corpotation ]
