ML13150
LANSDALE半导体公司
传统的应用信息
本地振荡器
HF &甚高频应用
在应用原理，外部采购的本地振荡器
器被用在其中的基极通过一个51施力
Ω
电阻
VCC 。然而，芯片上的接地的集电极晶体管可
用于HF和VHF本地振荡器与高阶
泛音晶体。图16示出了第五谐波振荡器在
83.616兆赫。该电路采用的是管家泛音振荡器CON-
成形。该放大器是一个射极跟随器。该晶体是
来自发射器驱动，并耦合到所述高阻抗
基地通过一个电容抽头网络。操作在所需的
泛音频率确保了并联谐振电路
由可变电感器和电容器抽头和杆形成
芯片上的晶体管和印刷电路板的了寄生电容。该
在原理图中指定的可变电感器可更换
具有高耐受性，高Q陶瓷或空气创面
如果其他部件有足够的紧张安装组件
耐受性。一种可变电感提供的增益调整
和谐振回路，确保频率锁定和
启动晶体振荡器。泛音晶体选择
与典型的80 ESR
Ω
120
Ω
最大;如果电阻
在晶体中略去损失是振荡器的过高的性能
可通过降低增益裕度受到影响。
串联LC网络交流接地（这是VCC ）的COM -
珍贵的芯片上晶体管的基极引线电感的
和PC板走线和自来水电容。寄生振荡
常发生在200〜 800 MHz范围内。一个小电阻
放置在一系列的基端（引脚28 ）取消负
阻力振荡不需要这种模式有关。
由于基极输入阻抗非常大，一个小电阻
27至68的范围内
Ω
具有所期望的影响非常小
振荡巴特勒模式。
晶体并联电容，钴，提供了一个反馈路径
那是在电抗足够低，以5日过的频率
色调或更高捣乱。有限公司拥有近谐振影响不大
由于晶体动生的低阻抗的南切
臂（ RM- LM-厘米）。作为可调谐电感器，其形成
谐振储能电路与所述抽头电容器，被调谐断晶
共振频率，则可能难以分辨的振荡
下结晶的控制。频率跳跃，可能会发生作为
电感调谐。为了消除此问题的电感
器，螺，是摆在平行晶体。罗被选择为
共振与晶体并联电容，钴，在
所需的运行频率。该电感器提供了一个馈
回路径的频率远低于共振;然而，该
的抽头电容和可调电感并联槽网络
器防止振荡，在这些频率。
图16. ML13150泛音振荡器
的fRF = 83.16 MHz的;楼罗= 83.616兆赫
第五泛音晶体振荡器
(4)
0.135
µH
33
混频器
28
1.0
µH
39 p
39 p
29
(3)
27 ķ 5 OT
XTAL
VEE
31
+
1.0
µ
MC13150
10 n
VCC
第10页20
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