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GAL16V8D-10LPN 参数 Datasheet PDF下载

GAL16V8D-10LPN图片预览
型号: GAL16V8D-10LPN
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内容描述: 高性能E2CMOS PLD通用阵列Logic⑩ [High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic⑩]
分类和应用:
文件页数/大小: 24 页 / 650 K
品牌: LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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GAL16V8
高性能ê
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高性能ê
2
CMOS
®
技术
- 3.5 ns的最大传播延迟
- 最大频率= 250 MHz的
- 3.0 ns最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• 50 %至75 %降低功耗双极性
- 75毫安的Icc典型的低功耗器件
- 45毫安典型的Icc上季度电力设备
• ACTIVE PULL -UPS上的所有引脚
•电子电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100%测试/ 100 %的收益率
- 高速电擦除( <100ms )
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性,复杂的逻辑设计
- 可编程输出极性
- 还模拟20针PAL
®
与全部设备
功能/熔丝图/参数的兼容性
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 %的功能可测性
•应用程序包括:
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度提升
•用于识别电子签名
•无铅封装选项
2
功能框图
I / CLK
CLK
8
I
OLMC
I / O / Q
选择设备已经停产。
请参阅订购信息部分产品的地位。
8
I
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(64 X 32)
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
I
8
I
OLMC
OE
OLMC
I / O / Q
I / O / Q
I / OE
引脚配置
PLCC
I
I
2
I / CLK的Vcc
20
18
I / O / Q
I / O / Q
16
I / O / Q
I / O / Q
8
14
11
GND
I / OE I / O / Q
13
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I
I
I
I
I
6
4
描述
该GAL16V8 ,在3.5 ns的最大传播延迟时间,COM的
bines高性能CMOS工艺与电Eras-
能(E
2
)浮栅技术,可提供最高速度
表现在PLD市场上。高速擦写次数
( <100ms )使得器件能够被快速有效重编程
计算好。
通用架构提供了最大的设计灵活性
使输出逻辑宏单元( OLMC )被配置
该用户。在许多体系结构的配置的一个重要的子集
系统蒸发散可能与GAL16V8是列出的PAL结构
在宏小区描述部分的表中。 GAL16V8器件
能够模拟任何一种PAL结构与充满
功能/熔丝图/参数的兼容性。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流,
直流电,并且在制造过程中进行功能测试。其结果是,晶格
安森美半导体提供100%的现场可编程性和功能 -
先进而精湛的所有GAL的产品。此外, 100擦除/写周期,
在超过20年的数据保存指定。
DIP
I / CLK
I
I
I
I
I
5
15
1
20
VCC
I / O / Q
I / O / Q
GAL16V8
顶视图
9
I
GAL
16V8
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
SOIC
I / CLK
I
I
I
I
I
I
I
I
GND
10
5
1
20
VCC
I / O / Q
I
I
I
GND
10
11
GAL
16V8
顶部
意见
15
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
11
I / OE
I / OE
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2006年8月
16v8_11
1