GAL16V8Z
GAL16V8ZD
零功耗ê
2
CMOS PLD
特点
•零功率ê
2
CMOS技术
— 100
µ
待机电流
- 输入瞬态检测的GAL16V8Z
- 专用掉电引脚上GAL16V8ZD
- 输入和输出锁存在断电
•高性能ê
2
CMOS技术
- 12 ns最大传播延迟
- 最大频率= 83.3兆赫
- 8 ns最大时钟输入到数据输出
- TTL兼容的16 mA输出驱动器
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100％测试/ 100 ％的收益率
- 高速电擦除（ <100ms ）
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性，复杂的逻辑设计
- 可编程输出极性
- 从架构上类似于标准GAL16V8
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 ％的功能可测性
•应用程序包括：
•电池供电系统
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
•用于识别电子签名
I
8
I
OLMC
OE
功能框图
I / CLK
CLK
8
I
8
I
OLMC
I / O / Q
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(64 X 32)
8
OLMC
I / O / Q
I /民进党
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I / O / Q
I / OE
描述
该GAL16V8Z和GAL16V8ZD ，在100
µA
待机电流
为12ns传播延迟提供最高速度和最低
描述
动力组合PLD在市场上。该GAL16V8Z /
ZD采用莱迪思半导体公司的先进制造的零
电源ê
2
CMOS工艺制造，它结合了CMOS与电
可擦除（E
2
）浮栅技术。
该GAL16V8Z使用输入瞬态检测（ ITD）放
器件在待机模式下，是能够模拟完整的功能
族体的标准GAL16V8的。该GAL16V8ZD利用
专用掉电引脚（ DPP ），以将设备置于待机模式。
它具有可与门阵列15的输入。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流，
直流电，并且在制造过程中进行功能测试。其结果，
莱迪思半导体公司提供了100％的现场可编程性和
所有GAL产品的功能。此外， 100擦除/写周期
并且在超过20年的数据保存指定。
引脚配置
DIP / SOIC
PLCC
I / CLK
VCC
I / O / Q
I / C LK
I
I
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
VCC
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I
3
I /民进党
I
I
I
I
6
4
I
1
19
18
I / O / Q
I / O / Q
16
I / O / Q
I / O / Q
GAL
18
GAL16V8Z
GAL16V8ZD
顶视图
9
I
GND
I / D P P
I
I
16V8Z
17
16V8ZD
16
15
14
13
12
11
I
I
I
GND
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O ê
8
11
I / OE
I / O / Q
14
13
I / O / Q
I / O / Q
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1997年12月
16v8zzd_03
1
LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
