GAL20RA10
高速异步é
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高性能ê
2
CMOS
®
技术
- 7.5 ns的最大传播延迟
- 最大频率= 83.3兆赫
- 9 ns最大时钟输入到数据输出
- TTL兼容的8 mA输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• 50 ％至75 ％降低功耗双极性
- 75毫安典型电流Icc
• ACTIVE PULL -UPS上的所有引脚
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100％测试/ 100 ％的收益率
- 高速电擦除（ <100毫秒）
- 20年的数据保存
• TEN输出逻辑宏单元
- 独立的可编程时钟
- 独立的异步复位和预置
- 注册或组合使用极性
- 全功能和参数兼容性
PAL20RA10
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 ％的功能可测性
•应用程序包括：
- 状态机控制
- 标准逻辑整合
- 多个时钟逻辑设计
•用于识别电子签名
功能框图
PL
8
I
OLMC
I / O / Q
8
I
OLMC
I / O / Q
8
I
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(80X40)
8
OLMC
I
I / O / Q
8
OLMC
I
I / O / Q
8
OLMC
I
I / O / Q
8
OLMC
I
I / O / Q
8
I
OLMC
I / O / Q
8
I
OLMC
I / O / Q
8
I
OLMC
I / O / Q
描述
该GAL20RA10结合了高性能CMOS工艺
与电可擦除（E
2
）浮栅技术，可提供
最高速度性能在PLD市场上。格
安森美半导体公司的E
2
CMOS电路实现的功率电平为低
作为75毫安典型I
CC
这是一项重大节省电力
相比于双极型晶体管。 ê
2
技术提供高
速度（ <100ms ）擦除时间提供重新编程的能力，
重新配置或快速有效地测试该设备。
通用架构提供了最大的设计灵活性
使输出逻辑宏单元（ OLMC ）被配置
该用户。该GAL20RA10是直接参兼容CMOS
替代PAL20RA10设备。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流，
直流电，并且在生产过程中进行功能测试。因此，格
安森美半导体提供100％的现场可编程性和功能 -
先进而精湛的所有GAL的产品。此外， 100擦除/写周期，
在超过20年的数据保存指定。
OE
引脚配置
DIP
PLCC
I / O / Q
I / O / Q
VCC
PL
NC
PL
I
I
I
25
I / O / Q
I / O / Q
1
24
VCC
I / O / Q
I / O / Q
4
I
I
I
NC
I
I
I
11
12
9
7
5
2
28
26
I
I
I
I
I
I
I
GND
GAL
20RA10
6
18
I
I
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GAL20RA10
顶视图
14
16
23
I / O / Q
NC
21
I / O / Q
I / O / Q
19
18
I / O / Q
GND
OE
I
I
I / O / Q
I / O / Q
NC
12
13
OE
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1997年7月
20ra10_02
1
LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
