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GAL22V10D-25QP 参数 Datasheet PDF下载

GAL22V10D-25QP图片预览
型号: GAL22V10D-25QP
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内容描述: 高性能E2CMOS PLD通用阵列逻辑 [High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic]
分类和应用:
文件页数/大小: 29 页 / 387 K
品牌: LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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特定网络阳离子
GAL22V10
GAL22V10
高性能ê
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高性能ê
2
CMOS
®
技术
- 4 ns最大传播延迟
- 最大频率= 250 MHz的
- 3.5 ns最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• ACTIVE PULL -UPS上的所有引脚
I
功能框图
I / CLK
RESET
8
OLMC
I / O / Q
I
10
OLMC
I / O / Q
•兼容标准22V10器件
- 全功能/熔丝图/参数兼容
与双极和UVCMOS 22V10设备
• 50 %至75 %降低功耗双极VERSUS
- 90毫安的Icc典型的低功耗器件
- 上季度电力设备45毫安典型电流Icc
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100%测试/ 100 %的收益率
- 高速电擦除( <100ms )
- 20年的数据保存
• TEN输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性,复杂的逻辑设计
•预载和上电寄存器复位
- 100 %的功能可测性
•应用程序包括:
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度提升
•用于识别电子签名
ESCRIPTION
12
I
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(132X44)
14
OLMC
I
I / O / Q
16
OLMC
I
I / O / Q
I
16
OLMC
I / O / Q
I
14
OLMC
I / O / Q
I
12
OLMC
I / O / Q
I
10
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
预设
描述
该GAL22V10 ,在4ns的最大传播延迟时间,联合收割机
高性能CMOS工艺与电可擦除(E
2
)
浮栅技术,提供最高性能的可用性
能够在市场上的任何22V10设备。 CMOS电路允许
时相比, GAL22V10消耗少得多的功率
双极22V10设备。 ê
2
技术提供高速( <100ms )
擦除时间,提供重新编程或重新配置的能力
装置快速,高效。
通用架构提供了最大的设计灵活性
使输出逻辑宏单元( OLMC )被配置
该用户。该GAL22V10完全功能/熔丝图/参数的COM
兼容标准双极型和CMOS 22V10设备。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流,
直流电,并且在制造过程中进行功能测试。其结果是, Lat-
蒂斯半导体提供100%的现场可编程性和功能
族体的所有GAL的产品。此外, 100擦除/写周期,
在超过20年的数据保存指定。
引脚配置
DIP
PLCC
I / CLK
I / O / Q
I / O / Q
VCC
I
I
NC
I / CLK
I
I
25
I / O / Q
I / O / Q
1
24
VCC
I / O / Q
I / O / Q
4
I
I
I
NC
I
I
I
11
12
I
I
2
28
26
5
I
I
I
6
7
23
I / O / Q
NC
GAL
22V10
18
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GAL22V10
9
顶视图
14
GND
NC
21
I / O / Q
I / O / Q
I
I
I
I
I
GND
12
16
I
I / O / Q
19
18
I / O / Q
I / O / Q
13
I
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2000年8月
22v10_06
1