GAL26CV12
高性能ê
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高性能ê
2
CMOS
®
技术
- 7.5 ns的最大传播延迟
- 最大频率= 142.8兆赫
- 从时钟输入到数据输出4.5ns最大
- TTL兼容的16 mA输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• ACTIVE PULL -UPS上的所有引脚
•低功耗CMOS
- 90 mA典型电流Icc
•电子电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100％测试/ 100 ％的收益率
- 高速电擦除（ <100ms ）
- 20年的数据保存
•十二个输出逻辑宏单元
- 使用标准22V10宏单元
- 最大的灵活性，复杂的逻辑设计
•预载和上电寄存器复位
- 100 ％的功能可测性
•应用程序包括：
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度提升
•用于识别电子签名
2
功能框图
I / CLK
RESET
输入
8
I
8
I
8
I
8
I
OLMC
I / O / Q
OLMC
I / O / Q
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(122X52)
OLMC
I / O / Q
10
OLMC
I / O / Q
I
12
OLMC
I / O / Q
I
12
OLMC
I / O / Q
I
10
OLMC
I / O / Q
I
8
I
8
I
8
I
8
I
OLMC
I / O / Q
OLMC
I / O / Q
OLMC
I / O / Q
OLMC
预设
I / O / Q
描述
该GAL26CV12 ，在7.5纳秒最大传播延迟时间，
结合了高性能的CMOS工艺与电
可擦除（E
2
）浮栅技术，可提供最高
性能的28引脚的PLD可在市场上。 ê
2
技术
提供高速（ <100ms ）擦除时间，提供的能力来
重新编程或迅速而有效地重新配置设备。
基于业界标准架构22V10扩大，
GAL26CV12消除了通常与相关的学习曲线
使用一个新的设备体系结构。通用架构提供
最大的设计灵活性，允许输出逻辑宏单元
（ OLMC ）由用户进行配置。该GAL26CV12 OLMC是
与OLMC完全兼容标准的双极型和CMOS
22V10设备。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流，
直流电，并且在制造过程中进行功能测试。其结果是，晶格
半导体delivers100 ％的现场可编程性和功能
所有GAL的产品。此外， 100的擦除/写入周期和数据
保留超过20年的指定。
引脚配置
DIP
PLCC
I / CLK
I / O / Q
I / O / Q
I / CLK
I
I
I
I
1
28
I
I / O / Q
I / O / Q
4
2
28
26
25
I
I
VCC
I
I
I
I
5
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GND
I / O / Q
I / O / Q
I
VCC
I
I
I
I
I
I
I
7
GAL
26CV12
21
I
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GND
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I
I
7
I
GAL26CV12
顶视图
12
14
16
23
9
21
11
19
18
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
I
I
I
14
15
I / O / Q
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2000年6月
26cv12_03
1
LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
