特定网络阳离子
可编程逻辑器件和PLSI 1032E
最大GRP延迟VS GLB负载
6.0
可编程逻辑器件和PLSI 1032E -70
GRP延迟（ns ）
5.0
4.0
可编程逻辑器件和PLSI 1032E -80
可编程逻辑器件和PLSI 1032E -一百分之九十
可编程逻辑器件和PLSI 1032E -125
3.0
2.0
1.0
1
4
8
16
GLB负载
32
GRP/GLB/1032E
耗电量
功率消耗在系统可编程逻辑器件和PLSI 1032E设备
取决于两个主要因素：速度而
设备运行时，和乘积项数
图3.典型器件的功耗VS FMAX
350
300
可编程逻辑器件和PLSI 1032E
使用。图3示出的功率之间的关系
和操作速度。
I
CC （毫安）
250
200
150
100
0
20
40
60
80
100
125
150
f
马克斯（兆赫）
注：配置8个16位计数器
典型电流为5V ，25°C
I
CC
可被估计为使用以下等式的系统可编程逻辑器件和PLSI 1032E ：
I
CC
（毫安）= 15 + （ ＃的PT * 0.59 ） + （ ＃网*最大频率的* 0.0078 ）
其中：
＃ PT的=用于设计产品数量条款
＃网=在设备使用的信号数
最大频率=最高时钟频率器件（以MHz为单位）
在我
CC
估计是根据典型的条件（ VCC = 5.0V ，室温）和四个GLB的假设
平均负载存在。这些值只是估计。因为I的值
CC
是操作灵敏
条件与在装置中的程序，进行实际的I
CC
应验证。
0127/1032E
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LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
