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ISPLSI1032E 参数 Datasheet PDF下载

ISPLSI1032E图片预览
型号: ISPLSI1032E
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内容描述: 在系统可编程高密度PLD [In-System Programmable High Density PLD]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 295 K
品牌: LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
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特定网络阳离子
可编程逻辑器件1032E
可编程逻辑器件1032E时序模型
I / O单元
GRP
反馈
DED 。在
#34
GRP4
#30
GRP加载
延迟
#29, 31 - 33
梳理4 PT绕道
GLB注册绕道
#39
GLB注册
延迟
D
RST
RESET
#59
#40 - 43
Q
ORP绕道
#48
ORP
延迟
#47
GLB
ORP
I / O单元
#28
I / O寄存器绕道
#22
输入
寄存器D Q
RST
#23 - 27
#35
20 PT
异或延误
#36 - 38
#59
D
R
N
EW
表2-0042a / 1032E
时钟
分配
Y1,2,3
#55 - 58
控制稀土
PT的
OE
# 44 - 46 CK
Y0
GOE 0,1
#54
#53
的导
t
苏,
t
H和
t
从乘积项时钟共
1
t
h
t
co
t
su
=
=
=
2.9纳秒=
SE
t
h
=
=
=
2.7纳秒=
=
=
=
5.5纳秒=
U
t
co
1.计算是基于时序规格系统可编程逻辑器件1032E -125 。
is
pL
的导
t
苏,
t
H和
t
从时钟GLB合作
1
逻辑+注册素 - 钟(分钟)
(
t
IOBP +
t
grp4 +
t
20ptxor )+(
t
GSU ) - (
t
gy0 (分钟)+。
t
GCO +
t
GCP (分) )
(#22 + #30 + #37) + (#40) – (#54 + #42 + #56)
(0.3 + 2.0 + 5.0) + (0.1) – (1.4 + 2.3 + 0.8)
时钟(最大值) +注册ħ - 逻辑
(
t
gy0 (最大) +
t
GCO +
t
GCP (最大) )+(
t
GH ) - (
t
IOBP +
t
grp4 +
t
20ptxor)
(#54 + #42 + #56) + (#41) – (#22 + #30 + #37)
(1.4 + 2.3 + 1.8) + (4.5) – (0.3 + 2.0 + 5.0)
时钟(最大) +寄存器共+输出
(
t
gy0 (最大) +
t
GCO +
t
GCP (最大) )+(
t
GCO ) + (
t
ORP +
t
OB )
(#54 + #42 + #56) + (#42) + (#47 + #49)
(1.4 + 2.3 + 1.8) + (2.3) + (1.0 + 1.3)
SI
=
=
=
10.9纳秒=
时钟(最大) +寄存器共+输出
(
t
IOBP +
t
grp4 +
t
ptck (最大) )+(
t
GCO ) + (
t
ORP +
t
OB )
(#22 + #30 + #46) + (#42) + (#47 + #49)
(0.3 + 2.0 + 4.0) + (2.3) + (1.0 + 1.3)
10
32
=
=
=
3.5纳秒=
时钟(最大值) +注册ħ - 逻辑
(
t
IOBP +
t
grp4 +
t
ptck (最大) )+(
t
GH ) - (
t
IOBP +
t
grp4 +
t
20ptxor)
(#22 + #30 + #46) + (#41) - (#22 + #30 + #37)
(0.3 + 2.0 + 4.0) + (4.5) – (0.3 + 2.0 + 5.0)
EA
FO
t
su
=
=
=
2.2纳秒=
逻辑+注册素 - 钟(分钟)
(
t
IOBP +
t
grp4 +
t
20ptxor )+(
t
GSU ) - (
t
IOBP +
t
grp4 +
t
ptck (分) )
(#22 + #30 + #37) + (#40) – (#22 + #30 + #46)
(0.3 + 2.0 + 5.0) + (0.1) – (0.3 + 2.0 + 2.9)
11
ES
IG
0491
N
#51, 52
S
I / O引脚
(输入)
第4条PT绕道
#49, 50
I / O引脚
(输出)