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GM71C4400CR-70 参数 Datasheet PDF下载

GM71C4400CR-70图片预览
型号: GM71C4400CR-70
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内容描述: 1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM [1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 107 K
品牌: LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
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LG的Semicon有限公司。
描述
该GM71C (S) - 4400C / CL是新一代
动态RAM举办1,048,576字× 4位。
GM71C (S) - 4400C / CL实现了更高的密度,
更高的性能和各种功能由
采用先进的CMOS工艺技术。该
GM71C (S ) 4400C / CL提供快速页面模式的
高速存取模式。复用地址
输入允许GM71C (S) - 4400C / CL是
封装在一个标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
SOJ和标准300MIL 20 ( 26 )脚胶
TSOP II 。封装尺寸提供高系统
位密度,并且与广泛兼容
可自动检测和插入
设备。体系化的特征包括单
5V +/- 10 %容差的电源,直
高性能逻辑接口功能
家庭如肖特基TTL 。
GM71C(S)4400C/CL
1,048,576字× 4BIT
CMOS动态RAM
特点
* 1,048,576字× 4位组织
*快速页模式功能
*单电源( 5V +/- 10 % )
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
t
RAC
GM71C(S)4400C/CL-60
GM71C(S)4400C/CL-70
GM71C(S)4400C/CL-80
60
70
80
t
CAC
15
20
20
t
RC
110
130
150
t
PC
40
45
50
引脚配置
20 ( 26 ) SOJ
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
*低功耗
主动:五百五十零分之六百零五/ 495mW ( MAX)
待机: 5.5MW ( CMOS电平: MAX )
1.1MW (L-版本)
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
* 1024刷新周期/ 128ms的(L-版本)
*电池备份操作( L-版)
20 ( 26 ) TSOP II
20
19
18
17
16
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
20
19
18
17
16
1
2
3
4
5
I/O1
I/O2
WE
RAS
A9
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
V
CC
6
7
8
9
10
15
14
13
12
11
A8
A7
A6
A5
A4
A8
A7
A6
A5
A4
15
14
13
12
11
6
7
8
9
10
A0
A1
A2
A3
V
CC
普通型
反向型
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
1