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    2N4351 参数 Datasheet PDF下载

    2N4351图片预览
    型号： 2N4351
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET增强型 [N-CHANNEL MOSFET ENHANCEMENT MODE]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 206 K
    品牌： LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
     浏览型号2N4351的Datasheet PDF文件第2页  
    2N4351
    线性集成系统
    特点
    直接替代INTERSIL 2N4351
    高漏极电流
    高增益
    绝对最大额定值
    1
    @ 25 ° C（除非另有说明）
    最高温度
    储存温度
    工作结温
    最大功率耗散
    连续功率耗散
    最大电流
    漏极至源极
    最大电压
    漏体
    漏极至源极
    峰门源
    2
    N沟道MOSFET
    增强型
    I
    D
    = 100毫安
    g
    fs
    = 1000µS
    TO-72
    底部视图
    G
    2
    3
    D
    -65 〜+ 200 ℃，
    -55至+150°C
    375mW
    100mA
    25V
    25V
    ±125V
    *身体绑案。
    S
    1
    4
    C
    电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）（V
    SB
    = 0V ，除非另有说明）
    符号
    BV
    DSS
    V
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    g
    fs
    r
    DS （ ON）
    C
    RSS
    C
    国际空间站
    C
    db
    特征
    漏源击穿电压
    漏极至源极电压"On"
    门源阈值电压
    栅极漏电流
    漏极漏电流"Off"
    漏电流"On"
    正向跨导
    漏极至源极电阻"On"
    反向传输电容
    输入电容
    漏人体电容
    3
    1000
    300
    1.3
    5.0
    5.0
    pF
    1
    民
    25
    1
    5
    10
    10
    pA
    nA
    mA
    µS
    Ω
    V
    典型值
    最大单位
    条件
    I
    D
    = 10μA ，V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 2毫安，V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 10µA
    V
    GS
    = ±30V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 10V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 2毫安，
    f
    = 1MHz的
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0A,
    f
    = 1kHz时
    V
    DS
    = 0V, V
    GS
    = 0V,
    f
    = 140kHz
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V,
    f
    = 140kHz
    V
    DB
    = 10V,
    f
    = 140kHz
    线性集成系统
    • 4042克利伯法院•弗里蒙特，加利福尼亚州94538 •电话： 510 490-9160 •传真： 510 353-0261

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