2N/PN/SST4391
系列
线性集成系统
特点
替代Siliconix公司2N / PN / SST4391 ， 4292 ， & 4393
低导通电阻
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
存储温度（ 2N ）
储存温度（ PN / SST ）
结工作温度（ 2N ）
结工作温度（ PN / SST ）
最大功率耗散
连续功率耗散（ 2N ）
连续功率耗散（ PN / SST ）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏或源（ 2N / PN ）
栅漏或源（ SST ）
-40V
-35V
50mA
1800mW
350mW
-65 ℃〜200℃
-55 ℃〜150℃
-55 ℃〜200℃
-55 ℃〜150℃
S
1
单N沟道JFET开关
r
DS （ ON）
≤
30Ω
t
ON
≤
15ns
1
2N系列
TO-18
底部视图
D
2
3
PN系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
1
3
G
ð S摹
1 2 3
S
2
G
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
V
DS （ ON）
特征
门源
击穿电压
门源
截止电压
2N/PN
SST
2N/PN
SST
0.7
0.25
漏极至源极电压上
2N
PN
SST
2N/SST
PN
-5
-5
-5
0.3
0.35
I
DSS
漏极至源极
2
饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
50
50
50
-100
-1000
0.4
150
100
25
25
25
-100
-1000
75
100
5
5
5
-100
-1000
pA
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DG
= 15V ，我
D
= 10毫安
30
60
mA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
0.4
典型值
4391
民
-40
-35
-4
-4
-10
-10
1
最大
4392
民
-40
-35
-2
-2
-5
-5
1
最大
4393
民
-40
-35
-0.5
-0.5
-3
-3
1
0.4
V
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 20V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 15V ，我
D
= 10nA的
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 6毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 12毫安
门源正向电压
I
GSS
I
G
线性集成系统
• 4042克利伯法院•弗里蒙特，加利福尼亚州94538 •电话： 510 490-9160 •传真： 510 353-0261
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
