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    2N5116 参数 Datasheet PDF下载

    2N5116图片预览
    型号： 2N5116
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道JFET [SINGLE P-CHANNEL JFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 304 K
    品牌： LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
     浏览型号2N5116的Datasheet PDF文件第2页  
    2N5114系列
    线性集成系统
    特点
    直接替代SILICONIX 2N5114
    低导通电阻
    低电容
    绝对最大额定值
    @ 25 ° C（除非另有说明）
    最高温度
    储存温度
    结工作温度
    最大功率耗散
    连续功率耗散
    最大电流
    栅电流
    最大电压
    栅漏
    门源
    30V
    30V
    -50mA
    500mW
    -55 ℃〜200℃
    -55 ℃〜200℃
    1
    单P沟道JFET
    75Ω
    6pF
    TO-18
    底部视图
    G
    2
    3
    D
    S
    1
    静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
    符号。
    BV
    GSS
    V
    GS （ OFF ）
    V
    GS （ F）
    V
    DS （ ON）
    特征
    栅源击穿电压
    门源截止电压
    门源正向电压
    漏极至源极电压上
    -0.7
    -1.0
    -0.7
    -0.5
    I
    DSS
    I
    GSS
    I
    G
    I
    D（关闭）
    r
    DS （ ON）
    漏极至源极饱和电流
    2
    栅极漏电流
    门工作电流
    排水截止电流
    漏极至源极导通电阻
    5
    -5
    -10
    -10
    -10
    75
    100
    -500
    -500
    -500
    150
    Ω
    pA
    -30
    -90
    -15
    500
    -60
    500
    -5
    -25
    500
    典型值
    2N5114
    民
    30
    5
    10
    -1
    -1.3
    -0.8
    -0.6
    mA
    最大
    2N5115
    民
    30
    3
    6
    -1
    最大
    2N5116
    民
    30
    1
    4
    -1
    V
    最大
    单位
    条件
    I
    G
    = 1μA ，V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = -15V ，我
    D
    = -1nA
    I
    G
    = -1mA ，V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -15mA
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -7mA
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -3mA
    V
    DS
    = -18V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = -15V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DG
    = -15V ，我
    D
    = -1mA
    V
    DS
    = -15V, V
    GS
    = 12V
    V
    DS
    = -15V, V
    GS
    = 7V
    V
    DS
    = -15V, V
    GS
    = 5V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -1mA
    线性集成系统
    • 4042克利伯法院•弗里蒙特，加利福尼亚州94538 •电话： 510 490-9160 •传真： 510 353-0261

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