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3N164 参数 Datasheet PDF下载

3N164图片预览
型号: 3N164
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内容描述: P沟道增强模式 [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用: 晶体晶体管开关输入元件
文件页数/大小: 2 页 / 20 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
 浏览型号3N164的Datasheet PDF文件第2页  
3N163, 3N164
P沟道增强模式
线性集成系统
MOSFET
特点
非常高的输入阻抗
高栅极击穿
超低漏电
快速开关
低电容
绝对最大额定值(注1 )
@ 25 ℃(除非另有说明)
漏源极或漏极,栅极电压
3N163
3N164
短暂的G- S间电压
(注1 )
漏电流
储存温度
功耗
D
S
G
2
1
3
4
D
S
-40V
-30V
±125V
50mA
-65 ° C到+ 200℃
375mW
G
18× 30密耳
TO-72
底部视图
电气特性@ 25
°
℃(除非另有说明)
符号
特征
3N163
3N164
最大
最大
门正向电流
-10
-10
pA
I
GSSF
T
A
=+125°C
BV
DSS
BV
SDS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
V
GS
I
DSS
I
SDS
r
DS ( ON)
I
D(上)
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
漏源击穿电压
源极 - 漏极击穿电压
阈值电压
阈值电压
门源电压
零栅极电压漏极电流
源漏电流
漏源导通电阻
在漏极电流
正向跨导
输出导纳
输入电容,输出短路
反向传输电容
输出电容输入短路
-5.0
2000
-40
-40
-2.0
-2.0
-3.0
-5.0
-5.0
-6.5
200
400
250
-30
4000
250
2.5
0.7
3.0
-3.0
1000
-25
-30
-30
-2.0
-2.0
-3.0
-5.0
-5.0
-6.5
400
800
300
-30
4000
250
2.5
0.7
3.0
-25
单位
条件
V
DS
=0 (3N163)
V
DS
=0 (3N164)
V
GS
=0
V
GD
=0
V
BD
=0
I
D
=-10µA
I
D
=-10µA
I
D
=-0.5mA
V
GS
=0
V
GS
=V
DB
=0
I
D
=-100µA
V
GS
=-10V
I
D
=-10mA
I
D
=-10mA
f=1kHz
f=1MHz
V
GS
=-40V
V
GS
=-30V
I
D
=-10µA
V
I
S
=-10µA
V
DS
=V
GS
V
DS
=-15V
V
DS
=-15V
pA
mA
µs
pF
V
DS
=-15V
V
DS
=15V
V
GS
=-20V
V
DS
=-15V
V
DS
=-15V
V
DS
=-15V
(注
2)
线性集成系统
4042帆船CT,弗里蒙特,CA 94538电话: ( 510 ) 490-9160 •传真: ( 510 ) 353-0261