3N170 3N171
线性集成系统
特点
直接替代INTERSIL 3N170 & 3N171
低漏源电阻
快速开关
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
漏极至源极
最大电压
漏极至栅极
漏极至源极
门源
±35V
25V
±35V
30mA
*身体绑案。
300mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
r
DS （ ON）
≤
200Ω
t
D（上）
≤
3.0ns
N沟道MOSFET
增强型
TO-72
底部视图
G
2
3
D
S
1
4
C
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）（V
SB
= 0V ，除非另有说明）
符号
BV
DSS
V
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
g
fs
r
DS （ ON）
C
RSS
C
国际空间站
C
db
特征
漏源击穿电压
漏极至源极电压"On"
门源
阈值电压
栅极漏电流
漏极漏电流"Off"
漏电流"On"
正向跨导
漏极至源极电阻"On"
反向传输电容
输入电容
漏人体电容
10
1000
200
1.3
5.0
5.0
pF
3N170
3N171
1.0
1.5
民
25
2.0
2.0
2.0
10
10
pA
nA
mA
µS
Ω
V
典型值
最大单位
条件
I
D
= 10μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 10µA
V
GS
= -35V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 2.0毫安，
f
= 1.0kHz
V
GS
= 10V ，我
D
= 0A,
f
= 1.0kHz
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V,
f
= 1.0MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
f
= 1.0MHz的
V
DB
= 10V,
f
= 1.0MHz的
线性集成系统
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LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
