3N190 3N191
线性集成系统
特点
直接替代INTERSIL 3N190 & 3N191
低栅极漏电流
低传输电容
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散一方
连续功率耗散双面
最大电流
漏极至源极
2
最大电压
漏极至栅极
2
漏极至源极
门到门
2
2,3
1
P沟道双MOSFET
增强型
I
GSS
≤
±10pA
C
RSS
≤
1.0pF
TO-78
底部视图
C
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
300mW
525mW
50mA
30V
30V
±125V
±80V
G1
S1
D1
2
4
3
5
6
1
7
G2
S2
D2
短暂的门源
匹配特性@ 25 ° C（除非另有说明）（V
BS
= 0V ，除非另有说明）
符号
g
fs1
g
fs2
特征
正向跨导率
门源阈值电压
迪FF erential
门源阈值电压
4
差与温度
门源阈值电压
差与温度
4
民
0.85
典型值
最大单位
1.0
100
100
µV
°
C
条件
V
DS
= -15V ，我
D
= -500µA,
f
= 1kHz时
V
DS
= -15V ，我
D
= -500µA
V
DS
= -15V ，我
D
= -500µA
T
S
= -55至+25°C时
V
DS
= -15V ，我
D
= -500µA
T
S
= +25至+125°C
V
GS1-2
∆V
GS1
−
2
∆T
∆V
GS1
−
2
∆T
mV
100
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）（V
SB
= 0V ，除非另有说明）
符号
BV
DSS
BV
SDS
V
GS
V
GS （ TH）
I
GSSR
I
GSSF
I
DSS
I
SDS
I
D（上）
特征
漏源击穿电压
源极到漏极击穿电压
栅极至源极电压
门源阈值电压
反向栅极漏电流
正向栅极泄漏电流
漏极漏电流"Off"
源极到漏极的泄漏电流"Off"
漏电流"On"
-5.0
民
-40
-40
-3.0
-2.0
-2.0
-6.5
-5.0
-5.0
10
-10
-200
-400
-30.0
mA
pA
V
典型值
最大单位
条件
I
D
= -10µA
I
S
= -10μA ，V
BD
= 0V
V
DS
= -15V ，我
D
= -500µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -10µA
V
DS
= -15V ，我
D
= -500µA
V
GS
= 40V
V
GS
= -40V
V
DS
= -15V
V
SD
= -15V, V
DB
= 0V
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
线性集成系统
• 4042克利伯法院•弗里蒙特，加利福尼亚州94538 •电话： 510 490-9160 •传真： 510 353-0261
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
