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3N190-1 参数 Datasheet PDF下载

3N190-1图片预览
型号: 3N190-1
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内容描述: P沟道双MOSFET增强型 [P-CHANNEL DUAL MOSFET ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 256 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
 浏览型号3N190-1的Datasheet PDF文件第1页  
电气特性CONT 。 @ 25 ° C(除非另有说明)(V
SB
= 0V ,除非另有说明)
符号
g
fs
Y
os
r
DS ( ON)
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
特征
正向跨导
输出导纳
漏极至源极电阻"On"
反向传输电容
输入电容输出短路
输出电容输入短路
5
1500
典型值
最大单位
4000
300
300
1.0
4.5
3.0
pF
µS
条件
V
DS
= -15V ,我
D
= -5mA ,
f
= 1kHz时
V
DS
= -20V ,我
D
= -100µA
V
DS
= -15V ,我
D
= -5mA ,
f
= 1MHz的
开关特性
符号
t
D(上)
t
r
t
关闭
特征
打开延迟时间
开启上升时间
关闭时间
典型值
最大单位
15
30
50
ns
条件
V
DD
= -15V ,我
D(上)
= -5mA ,
R
G
= R
L
= 1.4kΩ
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 76
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.100
0.100
45°
0.028
0.034
1.
2.
3.
4.
5.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
每个晶体管。
大约增加一倍,每增加10°C T中
A
.
脉冲: T = 300μS ,占空比
3%
测量结束点,T
A
和T
B
.
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