焦耳/ SST111系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX的J / SST111系列
低栅极漏电流
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
结工作温度
最大功率耗散
连续功率耗散（J ）
连续功率耗散（ SST ）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
-35V
-35V
50mA
360mW
350mW
-55 ℃〜150℃
-55〜 135℃
ð S摹
1 2 3
92
1
单N沟道JFET
5pA
4ns
J系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
S
1
3
2
G
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
漏极至源极饱和电流
2
栅极漏电流
门工作电流
排水截止电流
漏极至源极导通电阻
-0.005
-5
0.005
1
30
1
50
1
100
0.7
20
-1
5
-1
2
-1
mA
nA
pA
nA
Ω
典型值
J/SST111
民
-35
-3
-10
最大
J/SST112
民
-35
-1
-5
最大
J/SST113
民
-35
-3
V
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 5V ，我
D
= 1µA
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 15V ，我
D
= 10毫安
V
DS
= 5V, V
GS
= -10V
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
线性集成系统
• 4042克利伯法院•弗里蒙特，加利福尼亚州94538 •电话： 510 490-9160 •传真： 510 353-0261
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