LS5911 LS5912 LS5912C
线性集成系统
特点
改善置换SILICONIX ， FAIRCHILD ， &
国家： 2N5911 2N5912 &
低噪声（ 10kHz时）
e
n
〜 4nV / √Hz的
高跨导（ 100MHz时）
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
-25V
-25V
50mA
500mW
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
改进的低噪声
WIDEBAND MONOLITHIC
双N沟道JFET
TO-71
底部视图
TO-78
底部视图
G1
D1
S1
SOT-23
顶视图
1
2
3
6
5
4
g
fs
≥
4000µS
G1
D1
S1
2
3
5
6
S2
D2
G2
PDIP -A
G1
D1
S1
2
3
5
6
S2
D2
G2
S2
D2
G2
1
7
1
7
PDIP -B
8
7
6
5
-65至+150°C
-55至+150°C
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
SOIC -A
8
7
6
5
SOIC -B
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
MATCHING电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
典型值
LS5911
民
最大
LS5912
民
最大
LS5912C
民
最大
单位
条件
V
GS1
−
V
GS2
∆
V
GS1
−
V
GS2
∆T
I
DSS1
I
DSS2
差分门源
截止电压
差分门源
截止电压的变化
温度
门源饱和
流动比率
差动电流门
正向跨导
比
2
共模抑制
比
85
10
20
0.95
1
20
0.95
1
0.95
0.95
15
40
1
20
1
0.95
0.95
40
40
1
20
1
mV
μV/°C
%
nA
%
dB
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
T
A
= -55至+ 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
T
A
= +125°C
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
f
= 1kHz时
V
DG
= 5V至10V
I
D
= 5毫安
I
G1
−
I
G2
g
fs1
g
fs2
CMRR
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
V
GS
I
DSS
I
GSS
I
G
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
3
典型值
LS5911
民
-25
-1
-5
-4
40
-50
-50
最大
LS5912
民
-25
-1
-0.3
7
-5
-4
40
-50
-50
最大
LS5912C
民
-25
-1
-0.3
7
-5
-4
40
-50
-50
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
0.7
-0.3
7
-1
-1
V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
G
= 5毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
mA
pA
线性集成系统
• 4042克利伯法院•弗里蒙特，加利福尼亚州94538 •电话： 510 490-9160 •传真： 510 353-0261
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
