LS830 LS831 LS832 LS833
线性集成系统
特点
超低漂移
超低漏电
低噪音
低电容
|∆V
GS1-2
/ ΔT | = 5μV / ℃以下。
I
G
= 80fA TYP 。
e
n
= 70nV / √Hz的TYP 。
C
国际空间站
= 3PF MAX 。
超低漏电低漂移
单片双N沟道JFET
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
-65º至+ 150°C
+150°C
D1
S1
G2
G1
3
5
S2
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
40V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
-I
G
漏源极电压
门正向电流
门反向电流
40V
10mA
10µA
D1
2
D2
6
D2
1
S1
7
G2
G1
S2
底部视图
22 ×20 MILS
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
为40mW @ + 125°C
LS833
75
25
0.5
0.5
1.0
1.0
单位
μV/°C
mV
pA
nA
pA
nA
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特征
LS830 LS831 LS832
5
10
20
|∆V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
|V
GS1-2
|最大。
-I
G
最大
-I
G
最大
-I
GSS
-I
GSS
失调电压
操作
高温
在全导通
高温
25
0.1
0.1
0.2
0.5
25
0.1
0.1
0.2
0.5
25
0.1
0.1
0.2
0.5
条件
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
T
A
= +125°C
V
GS
= 0
T
A
= +125°C
I
D
= 30µA
I
D
= 30µA
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
V
GS
= -20V
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
|Y
fs1-2
/Y
fs
|
I
DSS
|I
DSS1-2
/I
DSS
|
V
GS
（关闭）或V
P
V
GS
I
GGO
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的操作
不匹配
漏电流
全导
错配的全导
栅极电压
夹断电压
工作范围
栅电流
栅极到栅极漏
分钟。
40
40
70
50
--
60
--
0.6
--
--
典型值。
60
--
300
100
1
400
2
2
--
1
马克斯。
--
--
500
200
5
1000
5
4.5
4
--
单位
V
V
μmho
μmho
%
µA
%
V
V
pA
条件
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
I
G
= 1nA的
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30µA
I
S
= 0
F = 1kHz时
F = 1kHz时
V
DG
= 10V
V
GS
= 0
V
DS
= 10V
V
DG
= 10V
V
GG
= 20V
I
D
= 1nA的
I
D
= 30µA
线性集成系统
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LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
