LS840 LS841 LS842
线性集成系统
特点
低噪音
低漏
低漂移
低失调电压
低噪声，低漂移
低电容
单片双N沟道JFET
e
n
= 8nV / √Hz的TYP 。
I
G
= 10pA的TYP 。
|∆V
GS1-2
/ ΔT | = 5μV / ℃以下。
IV
GS1-2
I = 2mV的典型。
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
-65º至+ 150°C
+150°C
D1
S1
G1
G2
S2
D2
31 ×32 MILS
G1
3
5
S2
D1
2
6
D2
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
60V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
漏源极电压
门正向电流
60V
50mA
1
S1
7
G2
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
底部视图
为400mW @ + 125°C
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特征
LS840 LS841 LS842单位
5
10
40
μV/°C
|∆V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
|V
GS1-2
|最大。
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
|Y
fs1-2
/Y
fs
|
I
DSS
|I
DSS1-2
/I
DSS
|
V
GS
（关闭）或V
P
V
GS
-I
G
-I
G
-I
G
-I
GSS
失调电压
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的传导
不匹配
漏电流
全导
错配的全导
栅极电压
夹断电压
工作范围
栅电流
操作
高温
减少副总监
在全导通
--
--
--
--
10
--
5
--
50
50
--
100
pA
nA
pA
pA
1
0.5
2
--
4.5
4
V
V
0.5
--
2
1
5
5
mA
%
1000
500
--
0.6
4000
1000
3
μmho
μmho
%
5
分钟。
60
60
10
典型值。
--
--
25
马克斯。
--
--
mV
单位
V
V
条件
V
DG
= 20V
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
V
DG
= 20V
条件
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
I
G
= 1nA的
V
DG
= 20V
V
DG
= 20V
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 200µA
I
D
= 200µA
I
D
= 200µA
I
S
= 0
F = 1kHz时
V
DG
= 20V
V
GS
= 0
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V
V
DG
= 20V
V
DG
= 20V
V
DG
= 10V
V
DG
= 20V
I
D
= 1nA的
I
D
= 200µA
I
D
= 200µA
I
D
= 200µA
I
D
= 200µA
V
DS
= 0
T
A
= +125°C
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 •电话： （ 510 ） 490-9160 •传真： （ 510 ） 353-0261
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
