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LS846图片预览
型号: LS846
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内容描述: 低噪音,低漏单N沟道JFET [LOW NOISE, LOW LEAKAGE SINGLE N-CHANNEL JFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 134 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
   
LS846
线性集成系统
特点
超低噪声
低栅极泄漏
绝对最大额定值
@ 25 ° C(除非另有说明)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散@ +125°C
最大电流
门正向电流
最大电压
漏极至源极
门源
栅漏
V
DSO
= 60V
V
GSS
= 60V
V
GDS
= 60V
*对于相当于单片双,看到LS843系列。
I
G( F)
= 50毫安
350mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃,
1
低噪音,低泄漏
单N沟道JFET
e
n
=为3nV / √Hz的
I
G
= 15pA
电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号
BV
GSS
V
GS ( OFF )
V
GS
I
DSS
I
G
I
G
I
GSS
Y
FSS
Y
fs
Y
OSS
Y
os
NF
e
n
e
n
C
国际空间站
C
RSS
1.
特征
栅源击穿电压
门源夹断电压
门源工作电压
漏极至源极饱和电流
门工作电流
门工作电流降低V
DG
门源漏电流
全跨电导
全输出电导
典型的输出电导
噪声系数
噪声电压
噪声电压
共源输入电容
共源反向传输帽。
60
1
0.5
1.5
典型值
最大单位
V
3.5
3.5
V
V
mA
pA
pA
pA
μmho
μmho
20
μmho
μmho
dB
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
pF
pF
2
0.5
条件
V
DS
= 0, I
D
= 1nA的
V
DS
= 15V ,我
D
= 1nA的
V
DS
= 15V ,我
D
= 500µA
V
DG
= 15V, V
GS
= 0
V
DG
= 15V ,我
D
= 500µA
V
DG
= 3V ,我
D
= 500µA
V
DG
= 15V, V
DS
= 0
V
GD
= 15V, V
GS
= 0,
f
= 1kHz时
V
DG
= 15V ,我
D
= 500µA
V
DG
= 15V, V
GS
= 0
V
DG
= 15V ,我
D
= 500µA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, R
G
= 10MΩ,
f
= 100Hz的, NBW = 6HZ
V
DS
= 15V ,我
D
= 500µA,
f
= 1kHz时,
NBW = 1Hz的
V
DS
= 15V ,我
D
= 500µA,
f
= 10Hz的,
NBW = 1Hz的
V
DS
= 15V ,我
D
= 500µA
5
15
5
15
50
30
100
1500
典型的电导跨1000 1500
0.2
3
7
11
8
3
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
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