LSK170
线性集成系统
特点
超低噪声（ F = 1kHz时）
高的击穿电压
高增益
高输入阻抗
低电容
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散@ +125°C
最大电流
门正向电流
最大电压
门源
栅漏
V
GSS
= 40V
V
GDS
= 40V
I
G（ F）
= 10毫安
*对于相当于单片双，见LSK389家庭。
400mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
e
n
= 0.9nV / √Hz的
BV
GSS
= 40V最大
Y
fs
= 22毫秒（典型值）
I
G
= -500pA最大
22pF的最大
超低噪声
单N沟道JFET
改进的第二个来源置换法2SK170
TO-92
底部视图
SOT-23
顶视图
D
1
3
ð的s
1 2 3
G
S
2
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS
I
DSS
I
G
I
GSS
Y
FSS
Y
fs
e
n
e
n
C
国际空间站
C
RSS
1.
特征
栅源击穿电压
门源夹断电压
门源工作电压
漏极至源极饱和
当前
门工作电流
门源漏电流
全导跨导
典型的传导跨导
噪声电压
噪声电压
共源输入电容
共源反向传输帽。
LSK170A
LSK170B
LSK170C
民
40
0.2
典型值
最大单位
V
2
V
V
6.5
12
20
0.5
1
nA
nA
mS
mS
1.9
4
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
pF
pF
mA
条件
V
DS
= 0, I
D
= 100µA
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
DG
= 10V, V
GS
= 0
V
DG
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
DG
= 10V, V
DS
= 0
V
GD
= 10V, V
GS
= 0,
f
= 1kHz时
V
DG
= 15V ，我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 2毫安，
f
= 1kHz时，
NBW = 1Hz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 2毫安，
f
= 10Hz的，
NBW = 1Hz的
V
DS
= 15V ，我
D
= 500µA
0.5
2.6
6
10
22
10
0.9
2.5
20
5
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或其他的
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LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
