欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

LSK389-B-SOIC-8 参数 Datasheet PDF下载

LSK389-B-SOIC-8图片预览
型号: LSK389-B-SOIC-8
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低噪声单片双N沟道JFET [ULTRA LOW NOISE MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 114 K
品牌: LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
 浏览型号LSK389-B-SOIC-8的Datasheet PDF文件第2页  
LSK389
线性集成系统
特点
超低噪声
严格匹配
高的击穿电压
高增益
低电容
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C(除非另有说明)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散@ +125°C
最大电流
门正向电流
最大电压
门源
栅漏
-65至+150°C
-55至+135 ℃,
400mW
I
G( F)
= 10毫安
V
GSS
= 40V
V
GDS
= 40V
超低噪声
单片双
N沟道JFET
e
n
= 0.9nV / √Hz的(典型值)
|V
GS1-2
| = 20mV的最大
BV
GSS
= 40V最大
Y
fs
= 20ms(典型值)
25PF TYP
TO-71
底部视图
SOIC -A
S1
1
2
3
4
8
7
6
5
改进的第二个来源置换法2SK389
G1
D1
S1
2
1
7
3
5
6
G2
SS
D2
S2
S2
D2
G2
D1
SS
G1
*为等效的单版本,请参阅LSK170家庭。
匹配特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号
V
GS1
V
GS2
I
DSS1
I
DSS2
特征
差分门源截止
电压
典型值
最大
单位
条件
20
0.9
mV
-
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
门源饱和电流比
电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号
特征
典型值
最大单位
条件
BV
GSS
V
GS ( OFF )
I
DSS
I
GSS
栅源击穿电压
门源夹断电压
漏极至源极饱和
当前
LSK389A
LSK389B
LSK389C
40
0.15
2.6
6
10
2
6.5
12
20
200
V
V
mA
pA
V
DS
= 0, I
D
= 100µA
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.1µA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
= -30V, V
DS
= 0
门源漏电流
线性集成系统
• 4042克利伯法院•弗里蒙特,加利福尼亚州94538 •电话: 510 490-9160 •传真: 510 353-0261