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    LT1147-3.3 参数 Datasheet PDF下载

    LT1147-3.3图片预览
    型号： LT1147-3.3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高效率降压型开关稳压控制器 [High Efficiency Step-Down Switching Regulator Controllers]
    分类和应用： 开关控制器
    文件页数/大小： 16 页 / 218 K
    品牌： LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
     浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第10页浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第11页浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第12页浏览型号LT1147-3.3的Datasheet PDF文件第13页  
    LTC1147-3.3
    LTC1147-5/LTC1147L
    应用S我FOR ATIO
    使用。对于V
    IN
    > 8V时，一个标准的阈值的MOSFET （Ⅴ
    GS （ TH）
    < 4V）可被使用。如果V
    IN
    预计将低于8V时，
    一逻辑电平的阈值的MOSFET （Ⅴ
    GS （ TH）
    < 2.5V ）是
    强烈推荐。当一个逻辑电平MOSFET是
    用的LTC1147电源电压必须小于
    绝对最大V
    GS
    为MOSFET评级。
    最大输出电流I
    最大
    决定第r
    DS （ ON）
    要求的功率MOSFET。当LTC1147
    系列是在连续模式工作时，的简化
    假设可以进行，无论是MOSFET或
    肖特基二极管总是导通的平均负荷
    电流。占空比为MOSFET和二极管是
    由下式给出：
    V
    P -CH占空比=
    OUT
    V
    IN
    肖特基二极管占空比=
    (V
    IN
    – V
    OUT
    + V
    D
    )
    V
    IN
    从占空比所需的R
    DS （ ON）
    为MOSFET
    可以推导出：
    P- ch R上
    DS （ ON）
    =
    (V
    IN
    )(P
    P
    )
    (V
    OUT
    )(I
    MAX2
    )(1 +
    δ
    P
    )
    其中，P
    P
    是允许功耗和
    δ
    P
    为
    的R的温度依赖性
    DS （ ON）
    . P
    P
    将阻止 -
    通过效率和/或热开采要求（见
    效率方面的考虑） 。 （1+
    δ)
    对于一个通常给定的
    的MOSFET中的归一化R的形式
    DS （ ON）
    VS温
    TURE曲线，但
    δ
    = 0.007 / ℃，可作为一个近似
    重刑低电压的MOSFET 。
    输出二极管的选择（ D1 ）
    在图1中仅示出导通的肖特基二极管D1
    在关断时间。以充分地指定它是重要
    二极管的峰值电流和平均功耗，以便
    不超过二极管评级。
    最紧张的条件，输出二极管是根据
    短路（V
    OUT
    = 0V）。在这种条件下，二极管
    必须安全地处理我
    SC （ PK ）
    在接近100 ％的占空比。
    在正常负载条件下的平均电流CON-
    由二极管管道式为：
    U
    I
    D1
    =
    (V
    IN
    – V
    OUT
    + V
    D
    )
    (I
    负载
    )
    V
    IN
    W
    U
    U
    记住要保持引线长度短，遵守正确的
    接地（见板布局清单），以避免振荡
    并增加了散热。
    在该二极管的正向压降的允许是calcu-
    从最大短路电流为迟来：
    V
    F
    ≈
    P
    D
    I
    SC （ PK ）
    其中，P
    D
    是可允许的功率耗散和将
    通过效率和/或热要求确定
    （见效率的考虑） 。
    C
    IN
    和C
    OUT
    选择
    在连续模式下， P沟道的源极电流
    MOSFET是方波的占空比V
    OUT
    /V
    IN
    。对
    防止大的瞬态电压，低ESR的输入电容
    器的尺寸为最大RMS电流必须被使用。该
    最大RMS电容器的电流由下式给出：
    [V
    OUT
    (V
    IN
    – V
    OUT
    )]
    1/2
    C
    IN
    需要我
    RMS
    ≈
    I
    最大
    V
    IN
    该式具有最大值在V
    IN
    = 2V
    OUT
    ，其中，
    I
    RMS
    = I
    OUT
    / 2 。这个简单的最坏情况的COM -
    常用的设计，因为即使是显著偏差
    系统蒸发散不提供多少援助。需要注意的是电容
    制造商的额定纹波电流通常是基于
    只有两千小时的寿命。由此，最好进一步
    减免电容，还是要选择额定在一个电容器
    温度高于所需。几个电容
    也可并联以满足尺寸或高度要求一
    ments设计。务必咨询厂家，如果
    有任何问题。另外一个0.1μF至1μF陶瓷
    去耦电容也需要对V
    IN
    （引脚1）
    高频去耦。
    C的选择
    OUT
    由所需的有效驱动
    串联电阻（ESR ） 。
    C的ESR
    OUT
    必须小
    除R值的两倍
    SENSE
    为正确操作
    LTC1147 ：
    C
    OUT
    所需的ESR < 2R
    SENSE
    sn1147 1147fds
    9

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