LT1160/LT1162
半/全桥
N沟道
功率MOSFET驱动器
特点
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DESCRIPTIO
浮顶驱切换高达60V
驱动器的前N沟道MOSFET栅极
上述负载HV电源
180ns转换时间驾驶10,000pF
自适应非重叠栅极驱动预防
SHOOT - THROUGH
顶驱保护在高占空比
TTL / CMOS输入电平
滞后欠压闭锁
工作在电源电压为10V至15V
独立的顶部和底部驱动引脚
在LT
®
1160 / LT1162具有成本效益半/全桥
N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以
驾驶操作关闭上部N沟道功率MOSFET
高电压（ HV）的轨道的高达60V 。
内部逻辑防止输入从接通
功率MOSFET半桥同时。其
独特的自适应保护，防止直通电流
租金消除了两个所有匹配的要求
的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计
电机控制和开关调节器系统。
在低电源或启动条件下，欠压
停摆积极拉动驱动器输出低电平，以防止
从功率MOSFET被部分打开。在0.5V
滞后甚至可以用缓慢vary-可靠运行
荷兰国际集团物资。
该LT1162是LT1160的双通道版本，可
在一个24引脚PDIP或24引脚SO封装宽。
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
应用S
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高电流电感负载的PWM
半桥和全桥电机控制
同步降压型开关稳压器
3相无刷电机驱动器
高电流驱动传感器
D类功率放大器
典型应用
1N4148
HV = 60V MAX
+
12V
10µF
25V
1
10
SV
+
BOOST
牛逼GATE DR
牛逼GATE FB
14
13
12
11
C
BOOST
1µF
IRFZ44
1000µF
100V
PV
+
4
紫外线
牛逼源
LT1160
2
PWM
为0Hz至100kHz
3
在顶部
从下
SGND
5
B GATE DR
B门FB
保护地
6
9
8
IRFZ44
在最佳IN底部T形门DR B GATE DR
L
L
H
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
1160 TA01
U
11602fb
U
U
1
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
