LT1160/LT1162
应用信息
功率MOSFET选择
由于LT1160 （或1/2 LT1162 ）固有的保护
从同时导通顶部和底部MOSFET的，
没有大小或匹配的限制。因此selec-
化可以根据操作电压下进行，并
R
DS （ ON）
要求。 MOSFET的BV
DSS
应
大于HV及应增加至内约
左右（2）（ HV）在恶劣环境中的频繁故障
条件。为最大操作高压电源LT1160
60V的MOSFET的BV
DSS
应该从60V到100V 。
MOSFET的ř
DS （ ON）
为特定网络版在T
J
= 25 ℃，是
一般选择基于操作效率再
quired只要MOSFET的最大结温
perature不超标。而每个耗散
MOSFET导通时由下式给出：
P = D （I
DS
)
2
(1+∂)R
DS （ ON）
其中，D为占空比和
∂
是增加R中
DS （ ON）
在预期的MOSFET的结温。由此
方程所需的R
DS （ ON）
可以推导出：
R
DS
(
ON
)
=
P
D I
DS
( ) (
1
+
∂
)
2
例如，如果MOSFET损耗被限制在2W
当在图5A和一个90 ％的占空比操作，所需的
R
DS （ ON）
将是0.089Ω /（1+
∂).
(1 +
∂)
给出了每个
的MOSFET中的归一化R的形式
DS （ ON）
VS温
TURE曲线，但
∂
= 0.007 / ℃，可作为一个近似
重刑低电压的MOSFET 。因此，如果T
A
= 85 ℃，将
可用的热沉具有20℃ / W的热阻，
MOSFET的结温为125 ℃，并
∂
= 0.007 （ 125 - 25 ） = 0.7 。这意味着，需要
R
DS （ ON）
MOSFET的将是0.089Ω / 1.7 = 0.0523Ω ，
这可以通过制造一个IRFZ34满足
国际整流器。
过渡损失消散在每个电源产生
在它从过渡关到开的时间的MOSFET ，
或从开到关。这些损失是成正比至（f） （ HV）的
2
而各不相同，从微不足道到成为一个限制因素
工作频率在一些高电压应用。
U
W
U
U
并联的MOSFET
当上述计算导致较低的ř
DS （ ON）
比
是用一个MOSFET经济上可行的，两个或
更多的MOSFET可以并联。这些MOSFET会
根据其研发固有共享电流
DS （ ON）
比，只要它们进行热连接（例如，在一个
常见的散热片） 。的LT1160顶部和底部驱动
可以在每个驱动五个功率MOSFET并联，只有一个
小的损失开关速度（见典型性能
特性） 。低阻值电阻（ 10Ω至47Ω ）的
可能需要一系列与每个MOSFET的栅极
从它的邻居，以避免对“脱钩”每个MOSFET
高频振荡（参阅生产商的市盈率
ommendations ） 。如果栅极去耦电阻器所使用的
相对应的栅极反馈引脚可以连接到任何
的栅极中的一个，如图1 。
驱动多个并联MOSFET可能限制
工作频率，以防止消耗过度的
LT1160 （请参阅下面的栅极电荷和驱动耗散
而不能使） 。
GATE DR
LT1160
GATE FB
R
G
*
R
G
*
*可选的10Ω
1160 F01
图1.并联的MOSFET
栅极电荷和驱动损耗
负载由一个提供给司机的一个有用的指标
功率MOSFET的总栅极电荷Q
G
，它包括
由栅 - 漏摆动所需的额外费用。
Q
G
通常是特定网络版的V
GS
= 10V和V
DS
= 0.8V
DS （ MAX）
.
当供给电流测量中的切换
应用，这将是大于由DC电定
因为附加的电源电流的特性
采购与MOSFET的栅极电荷相关的：
⎛
dQ
G
⎞
⎛
dQ
G
⎞
I
供应
=
I
DC
+
⎜
+
⎜
⎟
⎟
dt
⎠
顶部
⎝
dt
⎠
底部
⎝
11602fb
9
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
