LTC3703
手术
（参见原理图）
滴在反馈电压相对于参考。该
COMP电压再上升时，增大占空比直到
输出反馈电压再次与参考
电压。在正常操作中，高端MOSFET导通
于当RS锁存由内部振荡器设置和
关闭PWM比较器跳闸和复位时
闩锁。在适当的责任PWM比较器跳闸
比，通过比较误差放大器的输出（即后
“补偿”是由线馈乘数），以一
由振荡器产生的锯齿波波形。当
高端MOSFET关断时，底部MOSFET导通
上，直到下一个周期的开始，或者，如果脉冲跳过模式OP-
关合作已启用，直到电感电流反向的
由反向电流比较器来确定。 MAX和
MIN比较器确保输出不会超过
通过监控V标称值的± 5 ％
FB
并迫使
输出反馈到监管很快可以保留顶部
MOSFET关断或迫使最大占空比。操作
它的其他功能，快速瞬态响应，杰出的
行规，强大的栅极驱动器，短路保护
和关断/软启动在下面描述。
快速瞬态响应
该LTC3703采用一个快速25MHz的运算放大器作为误差放大器
费里。这允许补偿网络被优化
为更好的负载瞬态响应。的高带宽
放大器，以及高开关频率，并
低值电感器，允许非常高的环路交叉频
quencies 。在为800mV内部基准允许监管
输出电压低至800mV的，无需外部电平
移放大器。
电压前馈补偿
该LTC3703实现了卓越的线路瞬态响应
采用获得专利的前馈校正方案。同
此电路的工作周期被瞬间调节到
变化的输入电压，从而避免不可接受的
过冲或下冲。它具有的额外优势
使直流环路增益与输入电压无关。
图2示出了在输入大的瞬时步骤如何有
对输出电压的影响很小。
V
OUT
50mV/DIV
V
IN
20V/DIV
I
L
2A/DIV
20µs/DIV
V
OUT
= 12V
I
负载
= 1A
25V至60V V
IN
步
3703 F02
图2.线路瞬态性能
强大的栅极驱动器
该LTC3703包含能够非常低阻抗驱动器
供应电流的放大器来杀大的MOSFET栅极
快。这最大限度地减小了转换损耗，并允许paral-
乐陵MOSFET，以更高电流的应用。一个100V
浮动高边驱动器驱动上部MOSFET和
一个低侧驱动器驱动的底侧MOSFET （见
图3）。它们可以从一个单独的供电
直流电源或从输入或输出得到的电压
电压（参见MOSFET驱动器电源部分） 。底部
侧驱动器被从DRV直接供给
CC
引脚。该
高端MOSFET驱动器是由浮动自举偏置
电容C
B
，一般是每过充电时
循环从DRV外部二极管
CC
当顶
MOSFET关断。在脉冲跳跃模式工作，在那里
可能的是下面的MOSFET将关闭需
在相当长时间内，内部反担保
即下面的MOSFET导通的至少一次
10个循环为刷新引导的期间的10％
电容。欠压锁定保持LTC3703
关闭，除非这个电压高于8.7V 。
底部的驱动程序有一个额外的功能，有助于
最大限度地减少外部MOSFET同时导通的可能性。
当高端MOSFET导通时，开关节点的dV / dt
拉起底部MOSFET的内部栅极通过
米勒电容，即使在底部驱动器被保持
在接地的栅极端子。如果在栅极上拉高
够了，直通上部和底部之间
3703fc
9
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
