LTC3109
电气特性
参数
最低启动电压
空载输入电流
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子为T
A
= 25 ℃（注2） 。 VAUX = 5V ，除非另有说明。
条件
用1 ： 100的变压器匝数比， VAUX = 0V
用1 ： 100的变压器匝数比，
V
IN
=为30mV ，V
OUT2_EN
= 0V时，所有输出充电
而在监管
用1 ： 100的变压器匝数比
VS1 VS2 = = GND
VS1 = VAUX ， VS2 = GND
VS1 = GND ， VS2 = VAUX
VS1 VS2 = = VAUX
无负载，所有输出充电
目前进入VAUX = 5毫安
V
OUT
= 3.3V, V
OUT2_EN
= 0V
V
OUT
= 0V
C2B = C2A = 5V （注3）从V可
INA
or
SWA ，V
INB
或SWB到GND
0.5毫安负载V
LDO
对于0毫安至2mA负载
对于V
AUX
从2.5V至5V
I
LDO
= 2毫安
V
LDO
= 0V
VSTORE = 5V
VSTORE = 0V
V
OUT2
= 0V, V
OUT2_EN
= 0V
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
民
典型值
±30
6
最大
±50
单位
mV
mA
输入电压范围
输出电压
V
启动
2.30
3.234
4.018
4.875
5.0
6
2.350
3.300
4.100
5.000
7
5.25
0.2
15
0.35
2.134
2.2
0.5
0.05
100
5
6
0.4
12
0.1
15
50
0.85
1
–7.5
–9
0.12
2.1
2.2
1
1.0
100
5
0.5
±500
2.40
3.366
4.182
5.10
10
5.55
26
mV
V
V
V
V
μA
V
μA
mA
Ω
VAUX静态电流
VAUX钳位电压
V
OUT
静态电流
V
OUT
电流限制
N沟道MOSFET的导通电阻
LDO输出电压
LDO的负载调整率
LDO线性调整率
LDO低压差电压
LDO电流限制
VSTORE漏电流
VSTORE电流限制
V
OUT2
漏电流
VS1 ， VS2门限电压
VS1 ，VS2净输入电流
PGOOD阈值（瑞星）
PGOOD阈值（下降）
PGOOD V
OL
PGOOD V
OH
PGOOD拉电阻
V
OUT2_EN
阈值电压
V
OUT2_EN
阈值迟滞
V
OUT2_EN
下拉电阻
V
OUT2
开启时间
V
OUT2
打开-O FF时间
V
OUT2
电流限制
V
OUT2
限流响应时间
V
OUT2
P沟道MOSFET的导通电阻
2.30
1
0.2
200
0.3
26
1.2
50
V
%
%
mV
mA
μA
mA
nA
V
nA
%
%
V
S1
= V
S2
= 5V
测量相对于在V
OUT
电压
测量相对于在V
OUT
电压
灌电流= 100μA
源电流= 0
V
OUT2_EN
升起
l
0.3
2.3
1.3
V
V
MΩ
V
mV
MΩ
μs
μs
0.4
（注3）
V
OUT
= 3.3V
（注3）
V
OUT
= 5V （注3）
l
0.15
0.2
0.3
350
1.0
0 ° C至85° C的结温。特定网络连接的阳离子在-40° C至
125 ° C的工作结温范围内由设计保证，
鉴定和相关的统计过程控制。该
LTC3109I保证在-40 ° C至125 ° C的工作结
温度范围。注意，最大环境温度
通过特定网络连接C工作条件结合确定
0.5
A
ns
Ω
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
的LTC3109是脉冲负载条件，例如，根据测试
T
J
≈ T
A
。该LTC3109E保证，以满足特定连接的阳离子
3109fa
3
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
