LTC3108-1
电气特性
参数
输出电压
条件
VS1 VS2 = = GND
VS1 = VAUX ， VS2 = GND
VS1 = GND ， VS2 = VAUX
VS1 VS2 = = VAUX
V
OUT
= 3.7V, V
OUT2_EN
= 0V
无负载，所有输出充电
0.5毫安负载
对于0毫安至2mA负载
对于VAUX从2.5V至5V
I
VLDO
= 2毫安
VLDO = 0V
V
OUT
= 0V
VSTORE = 0V
目前进入VAUX = 5毫安
VSTORE = 5V
V
OUT2
= 0V, V
OUT2_EN
= 0V
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子为T
A
= 25 ℃（注2） 。 VAUX = 5V ，除非另有说明。
民
2.45
2.94
3.626
4.41
典型值
2.50
3.00
3.70
4.50
0.2
6
2.134
2.2
0.5
0.05
100
4
2.8
2.8
5
11
4.5
4.5
5.25
0.1
0.1
0.4
0.85
0.01
–7.5
–9
0.15
2.1
l
最大
2.55
3.06
3.774
4.59
9
2.266
1
0.2
200
7
7
5.55
0.3
1.2
0.1
单位
V
V
V
V
μA
μA
V
%
%
mV
mA
mA
mA
V
μA
μA
V
μA
%
%
V
OUT
静态电流
VAUX静态电流
LDO输出电压
LDO的负载调整率
LDO线性调整率
LDO低压差电压
LDO电流限制
V
OUT
电流限制
VSTORE电流限制
VAUX钳位电压
VSTORE漏电流
V
OUT2
漏电流
VS1 ， VS2门限电压
VS1 ，VS2净输入电流
PGD阈值（瑞星）
PGD阈值（下降）
PGD V
OL
PGD V
OH
PGD拉电阻
V
OUT2_EN
阈值电压
V
OUT2_EN
下拉电阻
V
OUT2
开启时间
V
OUT2
打开-O FF时间
V
OUT2
电流限制
V
OUT2
限流响应时间
V
OUT2
P沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
VS1 VS2 = = 5V
测量相对于在V
OUT
电压
测量相对于在V
OUT
电压
灌电流= 100μA
源电流= 0
V
OUT2_EN
升起
0.3
2.3
1.3
V
V
MΩ
V
MΩ
μs
μs
2.2
1
1
5
5
0.4
（注3）
V
OUT
= 3.7V
（注3）
V
OUT
= 3.7V （注3）
C 2 = 5V （注3）
l
0.15
0.15
0.3
350
1.3
0.5
0.45
A
ns
Ω
Ω
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC3108-1是脉冲负载条件，例如，根据测试
T
J
≈ T
A
。该LTC3108-1E保证，以满足特定连接的阳离子
0 ° C至85° C的结温。特定网络连接的阳离子在-40° C至
125 ° C的工作结温范围内由设计保证，
鉴定和相关的统计过程控制。该
LTC3108-1I保证在-40 ° C至125 ° C的工作结
温度范围。注意，最大环境温度
通过特定网络连接C工作条件结合确定
电路板布局，额定热封装热阻等
环境因素。结温（T
J
）由下式计算
在环境温度（T
A
）和功耗（P
D
）根据
式中：T已
J
= T
A
+ (P
D
•
θ
JA
℃/ W） ，其中
θ
JA
是包热
阻抗。
注3 ：
特定网络阳离子由设计保证，而不是100 ％的测试，
生产。
注4 ：
否则焊接封装的背面裸露到PC
板的接地平面将导致热阻大大高于
43°C/W.
注5 ：
绝对最大额定值为DC的评级。在某些
在应用环境中所示，在C2引脚上的交流峰值电压
可能超过± 8V 。这种现象是正常的，可以接受的，因为
电流流入引脚由耦合电容器的阻抗的限制。
31081fa
3
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
