LTC3108
电气特性
参数
输出电压
条件
VS1 VS2 = = GND
VS1 = VAUX ， VS2 = GND
VS1 = GND ， VS2 = VAUX
VS1 VS2 = = VAUX
V
OUT
= 3.3V, V
OUT2_EN
= 0V
无负载，所有输出充电
0.5毫安负载
对于0毫安至2mA负载
对于VAUX从2.5V至5V
I
LDO
= 2毫安
V
LDO
= 0V
V
OUT
= 0V
VSTORE = 0V
目前进入VAUX = 5毫安
VSTORE = 5V
V
OUT2
= 0V, V
OUT2_EN
= 0V
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子为T
A
= 25 ℃（注2） 。 VAUX = 5V ，除非另有说明。
民
2.30
3.234
4.018
4.90
典型值
2.350
3.300
4.100
5.000
0.2
6
2.134
2.2
0.5
0.05
100
4
2.8
2.8
5
11
4.5
4.5
5.25
0.1
0.1
0.4
0.85
0.01
–7.5
–9
0.15
2.1
l
最大
2.40
3.366
4.182
5.10
9
2.266
1
0.2
200
7
7
5.55
0.3
1.2
0.1
单位
V
V
V
V
μA
μA
V
%
%
mV
mA
mA
mA
V
μA
μA
V
μA
%
%
V
OUT
静态电流
VAUX静态电流
LDO输出电压
LDO的负载调整率
LDO线性调整率
LDO低压差电压
LDO电流限制
V
OUT
电流限制
VSTORE电流限制
VAUX钳位电压
VSTORE漏电流
V
OUT2
漏电流
VS1 ， VS2门限电压
VS1 ，VS2净输入电流
PGOOD阈值（瑞星）
PGOOD阈值（下降）
PGOOD V
OL
PGOOD V
OH
PGOOD拉电阻
V
OUT2_EN
阈值电压
V
OUT2_EN
下拉电阻
V
OUT2
开启时间
V
OUT2
打开-O FF时间
V
OUT2
电流限制
V
OUT2
限流响应时间
V
OUT2
P沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
VS1 VS2 = = 5V
测量相对于在V
OUT
电压
测量相对于在V
OUT
电压
灌电流= 100μA
源电流= 0
V
OUT2_EN
升起
0.3
2.3
1.3
V
V
MΩ
V
MΩ
μs
μs
2.2
1
1
5
5
0.4
（注3）
V
OUT
= 3.3V
（注3）
V
OUT
= 3.3V （注3）
C 2 = 5V （注3）
l
0.15
0.15
0.3
350
1.3
0.5
0.45
A
ns
Ω
Ω
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC3108是脉冲负载条件，那件T下测试
J
≈
T
A
。该LTC3108E保证，以满足特定连接的阳离子从0° C至85°C
结温。特定网络连接的阳离子在-40° C至125 ° C的工作
结温范围是由设计，表征和放心
相关的统计过程控制。该LTC3108I保证
在-40 ° C至125 ° C的工作结温范围内。
需要注意的是最高环境温度由特定网络下测定
操作条件与电路板布局相结合，额定热
封装热阻和其他环境因素。结
温度（T
J
）从环境温度计算（T
A
）和
功耗（P
D
）根据下式：T已
J
= T
A
+ (P
D
•
θ
JA
° C / W ） ，
哪里
θ
JA
是封装的热阻抗。
注3 ：
特定网络阳离子由设计保证，而不是100 ％的测试，
生产。
注4 ：
否则焊接封装的背面裸露到PC
板的接地平面将导致热阻大大高于
43°C/W.
注5 ：
绝对最大额定值为DC的评级。在某些
在应用环境中所示，在C2引脚上的交流峰值电压
可能超过± 8V 。这种现象是正常的，可以接受的，因为
电流流入引脚由耦合电容器的阻抗的限制。
3108fb
3
LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
