U/SST440,441
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX U / SST440 & U / SST441
高CMRR
低栅极泄漏
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（总）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
门到门
-25V
-25V
±50V
50mA
500mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
G1
D1
S1
2
1
7
3
5
6
1
单片双
N沟道JFET
CMRR
≥
85dB
I
GSS
≤
1pA
U系列
TO-71
底部视图
S1
1
2
3
4
SST系列
SOIC
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
S2
D2
G2
D1
G1
NC
匹配特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
U/SST440
典型值
最大单位
10
条件
V
GS1
−
V
GS2
∆
V
GS1
−
V
GS2
∆T
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
CMRR
差之门
源截止电压
U/SST441
20
0.07
0.97
85
20
mV
μV/°C
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
T
A
= -55至+ 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安，
f
= 1kHz时
差分门源截止
电压随温度的变化
门源饱和电流比
正向跨导率
2
共模抑制比
dB
V
DG
= 5〜 10V，我
D
= 5毫安
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
民
典型值
最大单位
条件
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
栅源击穿电压
门源截止电压
门源饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
3
-25
-1
6
-3.5
15
-1
-1
-6
30
-500
-500
V
V
mA
pA
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ，我
D
= 5毫安
线性集成系统
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LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
