VCR11N
线性集成系统
特点
第二个来源， SILICONIX VCR11N
压控电阻
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
正向栅电流
最大电压
栅漏电压
栅极至源极电压
25V
25V
*表面联系厂家安装
封装选项和引脚。
10mA
300mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
1
N沟道JFET
压控
电阻器
100〜 200Ω
TO-71
底部视图
G1
D1
S1
2
3
5
6
S2
D2
G2
1
7
电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
GSS
r
DS （ ON）
r
DS （分钟）
r
DS （ MAX）
C
DGO
C
SGO
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门反向电流
动态漏极至源极
抗性
静态漏源
导通电阻率
漏极至栅极电容
源栅极电容
民
-25
-8
100
0.95
0.95
-12
-0.2
200
1
1
8
8
pF
pF
典型值
最大单位
V
nA
Ω
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
I
D
= 1μA ，V
DS
= 10V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V时，我
D
= 0A,
f
= 1kHz时
V
DS
= 100mV的，R
DS
= 200Ω
2
V
GS1
= V
GS2
, r
DS
= 2kΩ
2
V
GD
= -10V ，我
S
= 0A,
f
= 1MHz的
V
GS
= -10V ，我
D
= 0A,
f
= 1MHz的
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
V
GS1
+需要强制R控制电压
DS
到200Ω或为2kΩ 。
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LINEAR [ LINEAR INTEGRATED SYSTEMS ]
