初步数据表
D
LND090A/B/C/D
革命性的LF- MCT的更换
的MOSFET ，双极& IGBT的开关
企业应用套件只有1.9nC栅极电荷
概述
线性尺寸推出革命性的线性快速
MCT （ LF - MCT ） 。一种线性尺寸的专有MCT
建设（专利申请中）可让LF-的MCT为
在快速开关应用中使用第一次
的MOSFET ，双极& IGBT的都是比较常用的。
LF- MCT的代表任最高电流密度
开关导通元件。在过去的MCT有
开关次数在了800ns +范围并集中在
高电流的应用。线性尺寸带来LF-
MCT的高频离线式AC / DC和DC / DC开关
应用程序打开<30ns的时间和关闭时间
<200ns （600V设备）。
在AC / DC离线应用，比如离线反激式
转换器或开关LED驱动器， LF- MCT的要求1/3
MOSFET的驱动电流，典型地使用。另外，
th
LF- MCT的需要1/3至1/8的MOSFET的硅面积
为在额定电流节省空间类似的电压降和
成本。
快的LF- MCT的，可作为一个替代的IGBT
在那里有一个Vf的比低级高达40 ％
典型的IGBT 。
虽然快速LF- MCT必须驱动一个+/-门
电压，小电流要求允许负
从一个典型的开关的输出端产生电压
栅极驱动。另外，正或负的脉冲将锁存
他们打开或关闭，并且不需要连续的电压。
该LND090包装在无铅TO- 252封装或
提供裸片。
特点
600V / 1500V阳极到阴极电压
关等效MOSFET的漏30 ％
高阻抗MOSFET般门
VG = + / - 5V栅极驱动脉冲OK
关闭电流：
1A & 3A LF -的MCT （A ， B）
10A & 40A LF -的MCT （ C，D ）
低栅极电容380pF 〜
超快速上升时间为17ns 〜
分〜 200ns的下降时间
硅面积减少到只有30％的
硅具有同等Vf的MOSFET的
高达10倍的峰值电流能力
等效MOSFET
低>40 ％正向压降Vf的比的IGBT （ 1.3-1.6V
与〜 2.2V的IGBT）
高电流密度>> 300安培峰值
无铅符合RoHS标准的TO- 252 PKG
也可作为裸模
应用
过压保护电路
高电压浪涌抑制器
不间断电源
电容放电安全开关
白色家电，电饭锅
AC / DC反激式转换器
DC / DC开关应用
谐振开关
等离子电视
相机频闪
通元件电流密度
密度
对比600V设备使用
LESS牛逼
韩1我们关断时间
N-二MCT
P- MCT
1000
N-二IGBT
100
DARLINGT
ON
10
N-MOSFET
1.0
温度： 25℃下
单元尺寸： 35微米
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
正向电压（ VOL S）
T
Y
当前DENSIT （ / A / cm2）的
包装&符号
A
A
G
K
G
K
LF- MCT
0
仿照Forwa次降COMPA里森
MOS嘎泰德功率器件
D- PAK
LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
