LT1158
半桥式N沟道
功率MOSFET驱动器
特点
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n
描述
在LT单个输入引脚
®
1158同步控制
两个N沟道功率MOSFET的图腾柱CON连接gura-
化。独特的自适应保护，防止贯通
电流消除了两个所有匹配的要求
的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计
电机控制和开关调节器系统。
在LT1158可以调节的连续电流限制环路
短路电流在顶部功率MOSFET。更高
启动电流被允许，只要MOSFET的V
DS
不超过1.2V 。通过返回
故障
输出
使能输入时， LT1158将自动关机
在出现故障的情况下，重试时的内部上拉
电流充电使能电容。
一个片上电荷泵切换时，需要在
打开顶端的N沟道MOSFET连续。特
电路确保顶侧栅极驱动器是安全的
保持在PWM和DC之间的过渡操作
化。栅极 - 源极电压在内部限定于
14.5V时，在更高的电源电压工作。
L,
LT ， LTC和LTM的注册和凌特公司的商标。所有其他
商标是其各自所有者的财产。受美国专利保护，包括
5365118.
驱动器前侧MOSFET高于V之门
+
工作在电源电压为5V至30V
为150ns转换时间驱动3000pF的
在500mA峰值驱动电流
自适应非重叠栅极驱动器
连续电流限制保护
自动关机和重试功能
内部电荷泵，用于直流操作
内置栅极电压保护
兼容电流检测的MOSFET
TTL / CMOS输入电平
故障指示输出
应用
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高电流电感负载的PWM
半桥和全桥电机控制
同步降压型开关稳压器
三相无刷电机驱动器
高电流驱动传感器
电池供电的逻辑电平MOSFET
典型用途
24V
1N4148
顶部和底部的波形门
BOOST
牛逼GATE DR
牛逼GATE FB
牛逼源
0.1μF
IRFZ34
BOOST DR
+
10μF
V
+
V
+
+
500μF
低
ESR
PWM
0Hz所需
100kHz
输入
LT1158
SENSE
+
+
R
SENSE
0.015Ω
负载
V
IN
= 24V
R
L
= 12Ω
1158 TA02
+
1μF
启用
故障
BIAS
SENSE
–
B GATE DR
B门FB
GND
–
IRFZ34
0.01μF
LT1158 TA01
1158fb
1
LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
