LT3795
典型性能特性
V
（ IVINP - IVINN ）
门槛
与温度
65
64
63
V
（ IVINP - IVINN ）
（毫伏）
V
（ IVINP - IVINN ）
（毫伏）
62
61
60
59
58
57
56
55
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150
3795 G23
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
V
（ IVINP - IVINN ）
阈值VS V
IN
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
0
20
40
60
V
IN
(V)
3795 G24
V
IVINCOMP
VS V
（ IVINP - IVINN ）
1.8
1.6
1.4
V
IVINCOMP
(V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
IN
= 24V
V
IN
= 24V
80
100
120
0
0
20
40
V
（ IVINP - IVINN ）
（毫伏）
60
80
3795 G25
温度（℃）
RAMP引脚源出和吸收
电流与温度
13
12
电流（ μA ）
下沉
采购
时间（纳秒）
11
10
160
140
120
NMOS门上升/下降时间
VS电容
800
700
600
时间（纳秒）
上升时间
500
400
300
200
100
0
10
20
30
40
50
3795 G27
顶栅（ PMOS ）上升/下降时间
VS电容
100
80
60
40
20
下降时间
下降时间
9
上升时间
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
8
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150
3795 G26
0
0
温度（℃）
电容（ NF）
电容（ NF）
3795 G28
顶栅驱动器上升沿
PWM
5V
0V
PWM
5V
0V
顶栅驱动器下降沿
TG
85V
75V
TG
85V
75V
100ns/DIV
PMOS VISHAY SILICONIX Si7113DN
3795 G29
100ns/DIV
PMOS VISHAY SILICONIX Si7113DN
3795 G30
8
3795f
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