LTC1154
高端微
MOSFET驱动器
特点
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DESCRIPTIO
全面提升N沟道功率MOSFET
我8μA
Q
待机电流
85μA我
Q
在当前
无需外部电荷泵电容
4.5V至18V电源电压范围
短路保护
通过PTC热敏电阻热关断
状态输出指示关闭
采用8引脚SOIC
该LTC1154单高侧栅极驱动器允许使用低
成本N型沟道FET用于高侧开关的应用程序。
内部电荷泵提升了栅极驱动电压
正供电轨之上，充分增强的N沟道MOS
开关无需外部元件。微操作
化，有8μA待机电流85μA和操作电流
租金，允许使用在几乎所有的最大的系统
EF网络效率。
包括在芯片上是可编程的过电流检测。
时间延迟可以被添加，以防止误触发上
高的浪涌电流的负载。高电平有效关断输入
还提供了与直接接口到一个标准的PTC
热敏电阻的热关断。漏极开路输出
提供这份报告的开关状态
µP.
低电平有效
使能输入被提供以控制多个开关
银行。
该LTC1154是采用8引脚DIP和8引脚SOIC封装
包。
APPLICATI
s
s
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s
s
S
笔记本电脑电源开关
SCSI终端电源开关
蜂窝电话电源管理
电池充电管理
高端工业和汽车交换
步进电机和直流电机控制
典型APPLICATI
超低压降高边开关
与短路保护
5V
51k
IN
µP
EN
LTC1154
状态
GND
G
SD
IRLR024
V
S
200k**
DS
电源电流（ μA ）
50
0.036Ω*
0.1µF**
2.7A MAX
45
40
35
30
25
20
15
10
5
5V
负载
显示的所有元件都是贴片。
* IMS026国际制造业SERVICE ， INC 。 （ 401 ） 683-9700
**则无需再次负载电阻或电感。
LTC1154 • TA01
0
0
5
10
15
电源电压（ V）
20
LTC1153 • TA02
U
待机电源电流
V
IN
= 0V
T
J
= 25°C
UO
UO
1
LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
