LTC1155
双高端
微功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
全面提升N沟道功率MOSFET
8μA待机电流
85μA电流ON
短路保护
宽电源电压范围： 4.5V至18V
控制开关接通和断开时间
无需外部电荷泵元件
取代P沟道高边MOSFET
兼容标准逻辑系列
采用8引脚SO封装
此外，LTC
®
1155双高侧栅极驱动器允许使用低
成本N型沟道FET用于高侧开关应用。
内部电荷泵提升该位置上方的门
略去轨，充分提高N沟道MOSFET，具有无
的外部元件。微功耗运行，具有8μA
待机电流和85μA的工作电流，允许使用
几乎所有的系统以最高的效率。
包括片上过电流检测，可提供自动
万一短路马蒂奇关机。一时间延迟
在系列中添加与电流感测，以防止假
触发高浪涌负载，如电容器和
白炽灯。
该LTC1155关闭工作在4.5V至18V的输入电源
而安全地驾驶几乎所有的FET的栅极。该
LTC1155非常适合于低电压（电池供电）
应用中，特别是在微功率“睡眠” OP-
关合作是必需的。
该LTC1155是采用8引脚PDIP和8引脚SO可用
包。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
APPLICATI
s
s
s
s
s
s
s
S
笔记本电脑电源总线开关
SCSI终端电源开关
蜂窝电话电源管理
P沟道开关更换
继电器和螺线管驱动器
低频半H桥
电机速度和转矩控制
典型APPLICATI
笔记本电脑电源总线开关具有短路保护
V
S
= 4.5V至5.5V
R
SEN
0.02Ω
R
DLY
100k
C
DLY
0.1µF
+
10µF
C
DLY
0.1µF
R
DLY
100k
R
SEN
0.02Ω
DS1
*IRLR034
5A
最大
TTL ， CMOS输入
动力公交车
V
S
DS2
*IRLR034
5A
最大
TTL ， CMOS输入
电压降（V）的
G1
LTC1155
G2
IN1
GND
IN2
µP
系统
GND
DISK
DRIVE
显示
打印机
等等
*表面贴装
1155 TA01
U
开关管的电压降
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
1
2
输出电流（A ）
3
1155 TA02
UO
UO
1
LINER [ LINEAR TECHNOLOGY ]
